考慮到負載阻抗，故式（8）可寫為

(9)

在傳輸線的終端（負載端）z´處，終端反射系數用Γ₂表示，由式（9）得

(10)

因此，

(11)

由式（11）可見，終端反射系數只與負載阻抗和傳輸線的特性阻抗有關。

當電磁波在終端負載不等于傳輸線特性阻抗的傳輸線上傳輸時，會產生反射波。反射波的大小除了用電壓反射系數來描述外，還可用電壓駐波系數VSWR（Voltage Standing Wave Ratio）或行波系數K來表示。駐波系數ρ定義為沿傳輸線合成電壓（或電流）的最大值和最小值之比，即
(12)

傳輸線上合成電壓（或電流）振幅值的不同，是由于各處入射波和反射波的相位不同引起的。當入射波的相位與該點反射波的相位同相時，則該處合成波電壓（或電流）出現最大值；反之兩者相位相反時，合成波電壓（或電流）出現最小值，故有

|U|_max=|U_i|+|U_r|=|U_i|(1+|Γ|) (13)

|U|_min=|U_i|-|U_r|=|U_i|(1-|Γ|) (14)

可得到駐波系數和反射系數的關系式為
(15)

或者
(16)

因此，傳輸線的反射波的大小可用反射系數的模、駐波系數和行波系數來表示。反射系數的范圍為0≤|Γ|≤1，駐波系數的范圍為1≤ρ≤∞。當|Γ₂|=0、ρ=1表示傳輸線上沒有反射波，即為匹配狀態。

1.6、傳輸線的工作狀態

傳輸線的工作狀態指的是傳輸線上電壓和電流的分布狀態，傳輸線的工作狀態取決于終端負載。

（1）當Z_L=Z₀（即負載匹配）時，終端反射系數Γ₂＝0，反射波電壓和反射波電流均為零，稱為行波狀態。
（2）當Z_L＝0（即負載短路）時，終端反射系數Γ₂＝－1。
（3）當Z_L＝∞（即負載開路）時，終端反射系數Γ₂＝1。
在第（2）和（3）種情況下，反射波與入射波幅度相同（負號表示反射波與入射波相位相反），稱為全反射狀態。

在一般情況下，0＜|Γ₂|＜1，稱為部分反射。

1.7、均勻傳輸線輸入阻抗

終端接負載阻抗時，則從距終端為z′處向負載方向看過去的阻抗為輸入阻抗，定義為該點的電壓U(z')與電流I(z')之比，并用Z_in表示。

(17)

1.8、史密斯圓圖

史密斯圓圖是以保角映射原理為基礎的圖解方法，通過史密斯圓圖，可以讓使用者迅速的得出在傳輸線上任意一點阻抗，電壓反射系數，VSWR等數據，簡單方便，所以在電磁波研究領域一直被廣泛應用。雖然隨著各種微波CAD軟件的發展，已經很少進行手工計算，但在利用軟件對射頻電路進行設計和分析時掌握史密斯圓圖的意義仍然十分重要。

2、微帶傳輸線理論

微帶傳輸線是50年代發展起來的一種微波傳輸線。與金屬波導相比，它具有體積小、重量輕、使用頻帶寬、可集成化并能構成各種用途的微波元件等優點，但損耗稍大，Q值較低，功率容量小。微帶線一般用薄膜工藝制造，介質基片選用介電常數高、微波損耗低的材料，常用的介質基片材料有氧化鋁陶瓷、氧化鈹、藍寶石、鐵氧體、聚四氟乙烯等。導體薄膜應具有導電率高、穩定性好、與基片的粘附性強等特點。

2.1、微帶傳輸線的結構

微帶傳輸線一般制作工藝是將基片研磨，拋光和清洗，然后將基片放在真空鍍膜機中形成一層鉻-金層，再利用光刻技術制作所需的電路，最后采用電鍍方法使導體帶和接地板達到所要求的厚度（3~5倍趨膚深度），并裝上所需要的有源器件和其他元件形成微帶電路。因此，微帶傳輸線可以看作是由雙導體傳輸線演變而來的雙導體微波傳輸線，圖2所示為微帶傳輸線結構示意圖。

圖2 微帶線的結構示意圖