考慮到負(fù)載阻抗，故式（8）可寫為

(9)

在傳輸線的終端（負(fù)載端）z´處，終端反射系數(shù)用Γ₂表示，由式（9）得

(10)

因此，

(11)

由式（11）可見，終端反射系數(shù)只與負(fù)載阻抗和傳輸線的特性阻抗有關(guān)。

當(dāng)電磁波在終端負(fù)載不等于傳輸線特性阻抗的傳輸線上傳輸時，會產(chǎn)生反射波。反射波的大小除了用電壓反射系數(shù)來描述外，還可用電壓駐波系數(shù)VSWR（Voltage Standing Wave Ratio）或行波系數(shù)K來表示。駐波系數(shù)ρ定義為沿傳輸線合成電壓（或電流）的最大值和最小值之比，即
(12)

傳輸線上合成電壓（或電流）振幅值的不同，是由于各處入射波和反射波的相位不同引起的。當(dāng)入射波的相位與該點(diǎn)反射波的相位同相時，則該處合成波電壓（或電流）出現(xiàn)最大值；反之兩者相位相反時，合成波電壓（或電流）出現(xiàn)最小值，故有

|U|_max=|U_i|+|U_r|=|U_i|(1+|Γ|) (13)

|U|_min=|U_i|-|U_r|=|U_i|(1-|Γ|) (14)

可得到駐波系數(shù)和反射系數(shù)的關(guān)系式為
(15)

或者
(16)

因此，傳輸線的反射波的大小可用反射系數(shù)的模、駐波系數(shù)和行波系數(shù)來表示。反射系數(shù)的范圍為0≤|Γ|≤1，駐波系數(shù)的范圍為1≤ρ≤∞。當(dāng)|Γ₂|=0、ρ=1表示傳輸線上沒有反射波，即為匹配狀態(tài)。

1.6、傳輸線的工作狀態(tài)

傳輸線的工作狀態(tài)指的是傳輸線上電壓和電流的分布狀態(tài)，傳輸線的工作狀態(tài)取決于終端負(fù)載。

（1）當(dāng)Z_L=Z₀（即負(fù)載匹配）時，終端反射系數(shù)Γ₂＝0，反射波電壓和反射波電流均為零，稱為行波狀態(tài)。
（2）當(dāng)Z_L＝0（即負(fù)載短路）時，終端反射系數(shù)Γ₂＝－1。
（3）當(dāng)Z_L＝∞（即負(fù)載開路）時，終端反射系數(shù)Γ₂＝1。
在第（2）和（3）種情況下，反射波與入射波幅度相同（負(fù)號表示反射波與入射波相位相反），稱為全反射狀態(tài)。

在一般情況下，0＜|Γ₂|＜1，稱為部分反射。

1.7、均勻傳輸線輸入阻抗

終端接負(fù)載阻抗時，則從距終端為z′處向負(fù)載方向看過去的阻抗為輸入阻抗，定義為該點(diǎn)的電壓U(z')與電流I(z')之比，并用Z_in表示。

(17)

1.8、史密斯圓圖

史密斯圓圖是以保角映射原理為基礎(chǔ)的圖解方法，通過史密斯圓圖，可以讓使用者迅速的得出在傳輸線上任意一點(diǎn)阻抗，電壓反射系數(shù)，VSWR等數(shù)據(jù)，簡單方便，所以在電磁波研究領(lǐng)域一直被廣泛應(yīng)用。雖然隨著各種微波CAD軟件的發(fā)展，已經(jīng)很少進(jìn)行手工計算，但在利用軟件對射頻電路進(jìn)行設(shè)計和分析時掌握史密斯圓圖的意義仍然十分重要。

2、微帶傳輸線理論

微帶傳輸線是50年代發(fā)展起來的一種微波傳輸線。與金屬波導(dǎo)相比，它具有體積小、重量輕、使用頻帶寬、可集成化并能構(gòu)成各種用途的微波元件等優(yōu)點(diǎn)，但損耗稍大，Q值較低，功率容量小。微帶線一般用薄膜工藝制造，介質(zhì)基片選用介電常數(shù)高、微波損耗低的材料，常用的介質(zhì)基片材料有氧化鋁陶瓷、氧化鈹、藍(lán)寶石、鐵氧體、聚四氟乙烯等。導(dǎo)體薄膜應(yīng)具有導(dǎo)電率高、穩(wěn)定性好、與基片的粘附性強(qiáng)等特點(diǎn)。

2.1、微帶傳輸線的結(jié)構(gòu)

微帶傳輸線一般制作工藝是將基片研磨，拋光和清洗，然后將基片放在真空鍍膜機(jī)中形成一層鉻-金層，再利用光刻技術(shù)制作所需的電路，最后采用電鍍方法使導(dǎo)體帶和接地板達(dá)到所要求的厚度（3~5倍趨膚深度），并裝上所需要的有源器件和其他元件形成微帶電路。因此，微帶傳輸線可以看作是由雙導(dǎo)體傳輸線演變而來的雙導(dǎo)體微波傳輸線，圖2所示為微帶傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2 微帶線的結(jié)構(gòu)示意圖