1、引言

隨著集成電路集成度的提高，越來越多的元件集成到芯片上，電路功能變得復雜，工作電壓也在降低。當一個或多個電路里產生的信號或噪聲與同一個芯片內另一個電路的運行彼此干擾時，就產生了芯片內的EMC問題，最為常見的就是SSN(Simultaneous Switch Noise，同時開關噪聲)和Crosstalk(串音)，它們都會給芯片正常工作帶來影響。由于集成電路通過高速脈沖數(shù)字信號進行工作，工作頻率越高產生的電磁干擾頻譜越寬，越容易引起對外輻射的電磁兼容方面問題。基于以上情況，集成電路本身的電磁干擾(EMI)與抗擾度(EMS)問題已成為集成電路設計與制造關注的課題。

集成電路電磁兼容不僅涉及集成電路電磁干擾與抗擾度的設計和測試方法，而且有必要與集成電路的應用相結合。針對汽車電子領域來講，將對整車級、零部件級的電磁兼容要求強制性標準，結合到集成電路的設計中，才能使電路更易于設計出符合標準的最終產品。作為電子控制系統(tǒng)里面最為關鍵的單元——微控制器(MCU)，其EMC性能的好壞直接影響各個模塊與系統(tǒng)的控制功能。

本文在汽車電子MCU 中采用抗EMI的設計方法，依據(jù)IEC61967傳導測試標準，對汽車電子MCU進行電磁干擾的測試。

2、汽車電子MCU設計方法

下面介紹在汽車電子MCU中使用的可行性設計方法以及其他幾種抗EMI設計技術。

2.1 時鐘電路設計

由于時鐘電路產生的時鐘信號一般都是周期信號，其頻譜是離散的，離散譜的能量集中在有限的頻率上。又由于系統(tǒng)中各個部分的時鐘信號通常由同一時鐘分頻、倍頻得到，它們的譜線之間也是倍頻關系，重疊起來進而增大輻射的幅值，因此說時鐘電路是一個非常大的污染源。

針對汽車電子MCU 數(shù)字前端設計，在抗EMI方面采用門控時鐘的方法改進。任何時鐘在不需要時都應關閉，減低工作時鐘引起的電磁發(fā)射問題。根據(jù)A8128(汽車電子MCU的型號)芯片系統(tǒng)功能設計要求，采用Run、Idle、Stop和Debug四種工作模式，在每一種工作模式下針對系統(tǒng)時鐘、外設模塊時鐘進行適當門控。此外，還有幾種在時鐘方面常見的抗EMI的設計方法，包括:

①降低工作頻率

MCU的工作時鐘應該設定為滿足性能要求所需的最低頻率。從下面的測試結果可以看出，一個MCU的運行頻率由80MHz變?yōu)?0MHz，可以使頻譜寬頻范圍內的干擾峰值產生幾十dBμV 的衰減，而且能夠有效的降低功耗。

②異步設計

異步電路工作沒有鎖定一個固有頻率，電磁輻射大范圍均勻分布而不會集中在特定的窄帶頻譜中。這一關鍵本質特征決定了即使異步電路使用大量的有源門電路，它所產生的電磁發(fā)射也要比同步電路小。

③擴展頻譜

擴展頻譜時鐘是一項能夠減小輻射測量值的技術，這種技術對時鐘頻率進行1%~2%的調制，擴散諧波分量，在CISPR16或FCC發(fā)射測試中峰值較低，但這并非真正減小瞬時發(fā)射功率。因此，對一些快速反應設備仍可能產生同樣的干擾。擴展頻譜時鐘不能應用于要求嚴格的時間通信網(wǎng)絡中，比如FDD、以太網(wǎng)、光纖等。

2.2 IO端口設計

在汽車電子MCU 的輸入輸出端口設計中，也加入了抗EMI方案，包括翻轉速率(slew rate control)和驅動強度(drive strength)控制方法。通過在所有通用P口引入可配置的翻轉速率和驅動強度寄存器，在需要的時候打開相應功能。翻轉速率有打開和關閉兩種選擇，打開后能夠有效地平緩上升沿或者下降沿，降低瞬態(tài)電流，進而控制芯片產生的電磁干擾強度。驅動強度有強驅動電流和弱驅動電流兩種選擇，在能夠滿足工作驅動強度的情況下，選擇弱電流驅動會更好的控制電磁干擾現(xiàn)象。

另外，基于GSMC 180nm工藝庫，選擇具有施密特觸發(fā)特性的IO，可以有效地平緩輸入信號中帶進來的尖峰或者噪聲信號等，對芯片的電磁抗擾度有所幫助。

3、汽車電子MCU測試方案

IEC61967標準是國際電工委員會制定的有關集成電路電磁發(fā)射的標準，用于頻率為150kHz到1GHz的集成電路電磁發(fā)射測試。標準中涉及到輻射和傳導兩類測試方法，由于傳導方式的電磁干擾帶給芯片應用上的影響更大一些，本次試驗選取IEC61967-4直接耦合法進行測試。該方法又分為1Ω測試法和150Ω測試法，1Ω測試法用來測試接地引腳上的總干擾電流，150Ω測試法用來測試輸出端口的干擾電壓。

在測試時，需要在進行測試的電路中接入串聯(lián)電阻為1Ω的電流探針(探針即為1Ω測試網(wǎng)絡，已經(jīng)集成在EMC測試板的芯片地端與PCB地平面之間)，49Ω串聯(lián)放置為了形成50Ω匹配，用接收機測量射頻電流流經(jīng)該電阻時產生的射頻電壓，所測得的電壓應為所有流回到集成電路的射頻電流在電流探頭上產生電壓的總和，測得的電壓值可以換算為流過探針的電流，測試環(huán)境圖如圖1所示。

圖1 1Ω測試環(huán)境

在150Ω測試中，集成電路的引腳通過標準規(guī)定的匹配網(wǎng)絡接到測試接收機，通過150Ω探針(探針即為150Ω測試網(wǎng)絡，已經(jīng)集成在EMC測試板上)可以測量SSN在輸入輸出端口和電源兩類引腳上的傳導干擾，通過計算可以將接收機測量的電壓轉換為噪聲電壓幅值，測試環(huán)境圖如圖2所示。

圖2 150Ω測試環(huán)境

下面是針對EMI進行的1Ω和150Ω測試步驟，包括測試前準備工作以及測試數(shù)據(jù)分析等。

3.1 測試前裝備工作

①環(huán)境溫度

本次實驗集中在晚間進行，現(xiàn)場溫度控制在23±2℃范圍內，符合標準要求。

②環(huán)境噪聲電平

將DUT(被測設備)固定在實驗臺上且為斷電狀態(tài)，用EMI接收機測量殘留噪聲。本次實驗環(huán)境噪聲電平在可接受的測試要求內，詳情請參看圖6。

③其他環(huán)境條件

所有其他可能影響測試結果的環(huán)境條件，例如環(huán)境濕度。本次實驗所測得的相對濕度為45%RH左右。

④確認工作狀態(tài)

給DUT供電并檢查確認IC處于正常的工作狀態(tài)，同時在實驗時保持周圍的測試條件不變。

3.2 1Ω測試

(1)將SMA連接線一端連接到測試板，另一端連接到接收機(安捷倫N9030，內置N141A電磁兼容測試軟件)，將EMI接收機的測量頻率范圍設置為150kHz到1GHz，根據(jù)標準對測試操作的要求，分成150kHz~30MHz(RBW 為9kHz)和30MHz~1GHz(RBW 為120kHz)兩段。下面測試圖中綠色邊框范圍內的是150kHz~30MHz，范圍外的是30MHz~1GHz。

結合汽車電子MCU 端口特性以及標準要求，將接地端口與1Ω網(wǎng)絡相連，再與SMA口相接，引入EMI接收機進行監(jiān)控，原理圖如圖3、圖4所示。

圖3 芯片的地網(wǎng)絡引腳

圖4 1Ω網(wǎng)絡

(2)選取可能影響EMC特性的因素，在時鐘上分別測試10MHz、20MHz以及77MHz頻率下電磁干擾大小數(shù)值，在測試功能上選取模數(shù)轉換程序ADC;

(3)測量每一段頻譜內可能出現(xiàn)的干擾，提取各個諧波的包絡值，接收機的電壓可以換算為流過探針的電流。測試儀器以及EMC測試板如圖5所示;

圖5 實際測試環(huán)境

(4)在對每個頻率點測試的時候要進行多次測量，以便排除偶然因素的干擾。下面是各個測試情況的說明;

①時鐘采用外部晶振10MHz，燒錄SRAM 中的程序為ADC。圖6左側為未上電時的環(huán)境噪聲信號，右側為上電但未運行程序的測量結果。

圖6 斷電vs.上電

通過對比可以得出上電之后在整個頻譜范圍內干擾強度變大，時鐘的固定周期將使電磁輻射集中在時鐘基波和諧波附近很窄的頻譜范圍內。根據(jù)傅里葉級數(shù)展開公式可以得出，在時鐘倍頻處的頻點其干擾值也越大，所以在10MHz、20MHz等倍頻點處的現(xiàn)象更明顯，