（1）壓電耦合系數Kt，決定了電能和機械能之間的轉換比例，也決定了基于FBAR的射頻濾波器的帶寬

（2）相對介電常數εr，和電極面積、壓電薄膜厚度一起決定著FBAR的電學阻抗值，高的介電常數可以減小FBAR的尺寸
（3）聲速v。根據v=f*λ在頻率一定時，聲速愈小，則器件的厚度和尺寸愈小
（4）材料固有損耗。損耗小則濾波器的插入損耗亦小，目前ALN和ZnO已成功應用于FBAR濾波器，基于PzT的FBAR濾波器因損耗過大而尚未有商業化的產品推出。ALN損耗最小。
（5）溫度系數。溫度系數影響著振蕩頻率隨溫度變化的漂移，ALN的溫度系數較ZnO低許多。
（6）熱導率。熱導率高則功率容量大。ALN的熱導率極好。
（7）化學穩定性。化學穩定性影響到器件在潮濕環境中的可靠性，ALN要比ZnO穩定得多。

此外，鋅、鉛、鋯等材料對于CMOS工藝來說是很危險的材料，因為它們會嚴重地降低半導體中載流子的壽命，而ALN不存在這一問題。

薄膜的制備也是不容忽視的問題。所以，綜合各方面考慮，ALN是比較適合的壓電材料，雖然乍看上去不如ZnO和PZT。

至于電極材料的選擇，以低損耗高聲速為原則，ZnO優于AL，而且ZnO和ALN薄膜之間不會形成像AL和ALN薄膜之間的無定形層。

結語

近年來，隨著壓電薄膜材料制備手段的完善、半導體工藝技術的發展，FBAR相關技術也得到了快速發展。FBAR可以制成高性能濾波器、雙工器、振蕩器等多種射頻集成微波器件和高靈敏傳感器等。FBAR是目前唯一可以與RFIC以及MMIC集成的射頻濾波器解決方案，且FBAR能以更低的價格提供更有益的性能，具有很強的市場競爭力。在下一代無線通信系統和無線接入領域，FBAR器件將會有更廣闊的市場前景。