近日，2015年IEEE電子器件峰會(huì)（IEEE Electron Devices Mini Colloquium）在電子科技大學(xué)舉行。會(huì)議邀請(qǐng)美國(guó)國(guó)家工程院院士、中科院外籍院士、耶魯大學(xué)T.P. Ma教授，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微細(xì)加工與納米技術(shù)研究室主任劉明教授，臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)Cher-Ming Tan教授，荊鳳德教授，香港城市大學(xué)Hei Wong教授等國(guó)內(nèi)外知名專家參會(huì)并作學(xué)術(shù)報(bào)告，分享前沿技術(shù)和研究進(jìn)展。

T.P. Ma教授在報(bào)告中簡(jiǎn)要介紹了集成電路的發(fā)展史，并展望了集成電路的發(fā)展前景。他結(jié)合自身研究方向，針對(duì)鐵電存儲(chǔ)器的研究和應(yīng)用情況進(jìn)行了詳細(xì)介紹。

劉明教授主要從事微/納米加工技術(shù)、存儲(chǔ)器器件和集成、納米電子和分子電子方向的研究工作，擁有超過(guò)100項(xiàng)國(guó)內(nèi)專利，發(fā)表近200篇期刊論文。她在報(bào)告中介紹了基于固體電解質(zhì)的RRAM技術(shù)的機(jī)遇及挑戰(zhàn)，以及目前國(guó)內(nèi)關(guān)于這項(xiàng)技術(shù)的研究情況。

Cher-Ming Tan教授曾任教于新加坡南洋理工大學(xué)，并有豐富的電子工業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)。先后發(fā)表超過(guò)260篇國(guó)際期刊和會(huì)議文章，擁有10項(xiàng)專利，著有5本著作。他的主要研究方向包括電子元件和系統(tǒng)的可靠性和失效物理模型、鋰離子電池和高功率發(fā)光二極管的可靠性、納米材料和器件的可靠性等。在報(bào)告中，Tan教授分別以數(shù)字、模擬和RF電路為例，展示了電路級(jí)的電遷移模型以及實(shí)現(xiàn)這些模型的方法。

荊鳳德教授主要從事高K CMOS器件、閃存、氮化鎵MOS場(chǎng)效應(yīng)管、射頻硅器件及集成電路、光電、薄膜器件等領(lǐng)域的研究。他從基本物理公式Q=CV & PAC=CV2f/2出發(fā)，介紹了利用高K技術(shù)、器件設(shè)計(jì)、3D IC等方面解決IC芯片功耗問(wèn)題的方法。

香港城市大學(xué)Hei Wong教授曾任IEEE ED/SSC香港分部主席，同時(shí)也是多個(gè)國(guó)際和香港本地委員會(huì)委員。他致力于MOS器件模型和特征、熱電子效應(yīng)、介質(zhì)薄膜物理、IC工藝模型和特征、MOS集成電梯設(shè)計(jì)和固態(tài)傳感器等方向的研究，發(fā)表文章超過(guò)360篇，著作4本。Hei Wong在報(bào)告中介紹了納米CMOS技術(shù)下，器件制造過(guò)程中的熱處理工藝引起的界面反應(yīng)以及對(duì)超薄EOT柵介質(zhì)薄膜的影響。

電子科技大學(xué)劉俊杰教授在學(xué)術(shù)報(bào)告中，通過(guò)眾多事例分析了ESD的重要性進(jìn)行，介紹了ESD設(shè)計(jì)中的模型、保護(hù)方式、測(cè)試方法和設(shè)備，并結(jié)合所從事的項(xiàng)目研究介紹了在Si CMOS、Si BiCMOS、GaAs、GaN以及新興技術(shù)中ESD的設(shè)計(jì)和最佳解決方案。