1、引言

隨著電子技術的飛速發展，未來戰場上的各種武器系統面臨著嚴峻的威脅，隱身技術已經被認為是提高武器系統生存能力和突防能力的有效手段。屏蔽材料的發展和應用是隱身技術發展的關鍵因素之一，受到世界各主要軍事國家的高度重視。國外已經出現了不少兼容多頻段的隱身材料專利，目前國內一些單位也分別研制了多波段偽裝遮障，采用可見光、紅外、雷達兼容隱身設計技術，實現了多波段隱身。盡管目前隱身屏蔽材料已在微波、紅外等波段取得了很大的成果，但目前在太赫茲頻段之間的研究甚少。

太赫茲輻射通常指的是頻率在（0.1~10）THz（波長在30μm~3mm）區間的遠紅外電磁輻射，其波段位于微波和紅外之間。它的獨特性能給通信、雷達、電子對抗、電磁武器、安全檢查等領域帶來了深遠的影響，也將在軍事防御和安全方面引發新的變革。

應用太赫茲光譜技術對屏蔽材料進行研究應用于軍事、國防、航天與安全等領域有重大意義。為此對四種屏蔽布在太赫茲波段的屏蔽性進行了實驗研究，得到了這幾種屏蔽布的折射率曲線和屏蔽效能曲線，實驗表明這幾種材料對太赫茲波有很好的屏蔽效能，在某種程度上可以做太赫茲屏蔽材料使用。

2、電磁屏蔽

電磁屏蔽主要是用來防止高頻電磁場的影響，從而有效地控制電磁波從某一區域向另一區域進行輻射傳播。其基本原理是采用低電阻值的導體材料，利用電磁波在屏蔽導體表面的反射、在導體內部的吸收及傳輸過程的損耗而產生屏蔽作用，通常用屏蔽效能（SE）表示。其值用不存在屏蔽時空間防護區的場強（E₁ 或H₁）與存在屏蔽時該區的場強（E₂或H₂）的比值來度量，單位是分貝（dB）。公式定義為：

SE=20log（E₁/E₂） （1）
SE=20log（H₁/H₂） （2）
SE=10log（P₁/P₂） （3）

式中，E₁，E₂ 為屏蔽前、后的電場強度；H₁，H₂ 為屏蔽前后的磁場強度；P₁，P₂ 為屏蔽前后的能量場強度。影響屏蔽效能SE的因素很多，主要是電磁場的頻率及材料的電磁參數。

通常，屏蔽效能的具體分類為：0~10dB幾乎沒屏蔽作用；10~30dB有較小的屏蔽作用；30~60dB中等屏蔽效能，可用于一般工業或商業用電子產品；60~90dB屏蔽效能較高，可用于航空航天及軍用儀器設備的屏蔽；90dB以上的屏蔽材料則具有最好屏蔽效能，適用于要求苛刻的高精度、高敏感度產品。根據實用需要，對于大多數電子產品的屏蔽材料，在30~1000Hｚ頻率，其SE至少達到35dB以上，才認為是有效的屏蔽。

3、實驗裝置與樣品

實驗用的是首都師范大學物理系太赫茲時域光譜透射系統（如圖1所示），主要由飛秒激光器、太赫茲輻射產生裝置、太赫茲輻射探測裝置和時間延遲控制系統組成。此系統使用的是由光譜物理公司生產的自鎖模可調諧式鈦藍寶石激光器，其脈沖中心波長為800nm，重復頻率為82MHz，脈寬為100fs，輸出功率為1043mW。鈦藍寶石產生的飛秒激光脈沖經分束棱鏡（CBS）被分為兩束，一束作為泵浦光，另一束作為探測光。泵浦光經過頻率為1.1kHz的斬波器調制，通過時間延遲臺入射到透鏡L1，經透鏡聚焦以45°入射角照射在＜100＞－InAS晶體表面上，從而輻射出太赫茲脈沖，經兩對表面鍍金的離軸拋面鏡準直和聚焦，通過一個高阻硅薄片，聚焦在＜110＞－ZnTe晶體上；另一束激光脈沖—探測光經過一系列的反射鏡、透鏡L2、偏振片P與太赫茲脈沖同時聚焦在＜110＞－ZnTe晶體的同一位置，此時ZnTe晶體中發生電光效應。偏振態被調制的探測光經過四分之一波片（QWP）和透鏡L3聚焦到渥拉斯頓棱鏡（PBS），分為偏振方向互相垂直的兩個分量，被差分探測器———光電二極管探測，經鎖相放大器解調后輸入計算機利用Labview編寫的控制軟件得到太赫茲脈沖時域信息。本文利用這個裝置探測到的有效譜寬是（0.1~2.5）THz，頻譜分辨率50GHｚ，信噪比600。實驗中，我們把樣品放置在能量較高的離軸拋面鏡PM2焦點處，并與入射光方向垂直。實驗時為了降低空氣中水分對太赫茲波的吸收，在光路虛線框內沖入氮氣，使得探測時環境的濕度低于5%，實驗溫度是21℃。為保證實驗準確，實驗中每測一種樣品就測一個參考信號。

圖1、太赫茲光譜實驗系統

樣品中四種特種電磁波屏蔽材料購于北京京棉華星特種屏蔽材料技術有限責任公司，經過相關單位證明該公司生產的專利屏蔽布在微波達到B級以上的屏蔽效能，并且具有防水、防曬等特點，可用在軍事上做屏蔽帳篷、屏蔽門、屏蔽拉鏈等用途，也可民用生活中做手機屏蔽套，微波爐防護套及孕婦服等減少或防止微波與紅外輻射的傷害。該屏蔽該材料是以棉花纖織物為基料，經過理化處理，將金屬元素滲透到其組織結構中。它在保持原有織物特性的基礎上，又具有了屏蔽作用。深淺迷彩色屏蔽布的厚度均為0.38mm，磚紅色和灰色屏蔽布的厚度分別為0.28mm，0.12mm。