隨著半導(dǎo)體制造能力允許在單塊芯片上集成數(shù)千門邏輯電路，系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)開始占據(jù)未來(lái)IC技術(shù)的中心。不過，當(dāng)今天人們?cè)谡務(wù)揝oC時(shí)，他們實(shí)際談?wù)摰闹皇遣糠窒到y(tǒng)——僅是把數(shù)字基帶與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、一些高速模擬IO、甚至一些射頻電路集成在一起，只要它不會(huì)太復(fù)雜。

由于工藝技術(shù)的不兼容性，RF集成通常被認(rèn)為是一種基本上尚未解決的SoC挑戰(zhàn)。在數(shù)字裸片上集成RF電路會(huì)限制良品率或?qū)е赂甙旱臏y(cè)試成本，從而極大地增加生產(chǎn)成本。

但問題比這更復(fù)雜和微妙。從SoC系統(tǒng)層面上來(lái)看，RF集成將給硬件器件的電路設(shè)計(jì)、物理實(shí)現(xiàn)及制造與測(cè)試帶來(lái)一些困難的開發(fā)挑戰(zhàn)。

現(xiàn)在，RF芯片設(shè)計(jì)者有了另一種選擇。CMOS制造工藝技術(shù)的最新發(fā)展克服了RF集成障礙，使開發(fā)者可以將RF處理移到數(shù)字域中。芯片設(shè)計(jì)者不必費(fèi)勁去設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)模擬器件，相反，他們可以采用數(shù)字RF技術(shù)，并利用熟悉的工具和工藝來(lái)處理RF信號(hào)。

不可能只集成一種無(wú)線電

為了適應(yīng)手機(jī)或PDA的小外形尺寸，這要求在一塊芯片上同時(shí)集成數(shù)字、模擬及RF，否則成本與外形尺寸限制將阻礙手機(jī)配置新的功能。集成的無(wú)線電只有傳統(tǒng)無(wú)線電一半的硅面積，占有一半的板空間，消耗大約一半的功率。因此，無(wú)線電集成在滿足手機(jī)設(shè)計(jì)目標(biāo)方面提供了極大的優(yōu)勢(shì)。

圖1：跟蹤每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的截止頻率可以評(píng)估哪
些通信頻段能夠在數(shù)字域中進(jìn)行處理。
 

讓我們來(lái)看看3G手機(jī)的數(shù)據(jù)處理要求。在數(shù)字域，用戶希望擁有更高分辨率的彩屏顯示器、需要額外存儲(chǔ)器與圖形資源的游戲、PDA應(yīng)用功能以及諸如照相、視頻會(huì)議及音頻播放等多媒體功能。在RF方面，一部手機(jī)集成好幾種無(wú)線電并非是不合理的，它們包括：

* 很多GSM手機(jī)都支持全部四個(gè)頻段——?dú)W洲的蜂窩與DCS以及美國(guó)的不同蜂窩頻率與PCS
* 2.1 GHz的UMTS
* 用于定位與同步的GPS
* 用于PAN連接的藍(lán)牙
* 用于網(wǎng)絡(luò)連接的WiFi，如果是2.4 GHz 802.11b/g，則可共用藍(lán)牙無(wú)線電
* 數(shù)字電視(DTV)
* 數(shù)字音頻廣播與調(diào)頻廣播等

今天，板上的RF器件數(shù)已超過總器件數(shù)的一半，而且一種簡(jiǎn)單的無(wú)線電就要占去手機(jī)印制電路板(PCB)40%的面積。如果靠增加無(wú)線電來(lái)支持藍(lán)牙、GPS及WLAN等功能，那么會(huì)顯著增大這些數(shù)字。盡管無(wú)線電能共用一些電路，但如果它們想要裝入一部設(shè)備中，則必須比它們今天的尺寸小。

存在的問題

集成數(shù)字、模擬及RF電路所遭遇的實(shí)際問題向那些對(duì)整體硅集成充滿熱情的人潑了一盆冷水。對(duì)于在SoC上集成復(fù)雜RF電路的設(shè)計(jì)來(lái)說，可用的EDA開發(fā)工具仍存在許多有待改進(jìn)之處。

用于同時(shí)驗(yàn)證數(shù)字與RF電路的工具仍處于發(fā)展的初期階段，更談不上同時(shí)對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行驗(yàn)證與測(cè)試。其他局限還包括小器件的不良匹配、高1/f噪聲、以及缺少帶足夠模擬特征的片上無(wú)源器件(電阻、電容及變?nèi)荻O管)等。

盡管存在這些挑戰(zhàn)，集成仍然是使智能電話降低無(wú)線電設(shè)計(jì)的成本、功耗及復(fù)雜性的基本手段。為了使無(wú)線電集成成為現(xiàn)實(shí)，業(yè)界要求在晶圓工藝、系統(tǒng)設(shè)計(jì)及電路設(shè)計(jì)層面上有顯著的技術(shù)進(jìn)步。盡管采用SoC的設(shè)計(jì)者并不關(guān)心許多SoC技術(shù)挑戰(zhàn)，但了解這些挑戰(zhàn)也很重要，因?yàn)樗鼈儧Q定了實(shí)際器件的能力與局限。例如，盡管使用雙極或BiCMOS工藝集成RF在技術(shù)上是可行的，但測(cè)試器件時(shí)的良率限制及高昂成本使得這些器件未必能實(shí)現(xiàn)大批量或商業(yè)生產(chǎn)。

集成硅鍺(SiGe) BiCMOS技術(shù)也是可能的做法。但硅鍺技術(shù)一般比先進(jìn)的數(shù)字CMOS工藝落后1個(gè)或2個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。由于手機(jī)需要越來(lái)越多的處理資源，硅鍺工藝無(wú)法使數(shù)字部分(特別是存儲(chǔ)器)的裸片成本保持最低。

即使CMOS RF集成也有它的挑戰(zhàn)。模擬混頻器、濾波器及放大器等的實(shí)現(xiàn)都很困難，尤其隨著電壓下降，新工藝節(jié)點(diǎn)早期的器件建模一般都不足以達(dá)到模擬模塊設(shè)計(jì)所需的高精度參數(shù)建模。業(yè)界要求有重大的設(shè)計(jì)創(chuàng)新，從而允許無(wú)線電被集成在標(biāo)準(zhǔn)的CMOS中，并充分利用CMOS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

數(shù)字RF集成解決RF集成問題的一種不同方法是完全避免它們，這可通過將RF器件的功能轉(zhuǎn)換到數(shù)字域來(lái)實(shí)現(xiàn)。

通過在CMOS數(shù)字域處理RF信號(hào)，就沒有必要使用復(fù)雜且昂貴的模擬掩模。芯片設(shè)計(jì)也變得更加容易，因?yàn)殚_發(fā)者在仿真時(shí)可以更容易了解系統(tǒng)細(xì)節(jié)，并能通過整合可編程軟硬件元素來(lái)執(zhí)行處理，從而增強(qiáng)對(duì)信號(hào)處理過程的控制。

例如，從電源耦合到發(fā)射與接收壓控振蕩器(VCO)上的噪聲會(huì)影響整體系統(tǒng)效率。因此，大多數(shù)無(wú)線電路板設(shè)計(jì)都要求使用調(diào)節(jié)器及相關(guān)無(wú)源器件來(lái)解決此問題。將這些器件集成在無(wú)線電收發(fā)器中，意味著簡(jiǎn)單的去耦電容是所需的、要求與電池直接相連的唯一外部元件，從而可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并節(jié)省板空間。

設(shè)計(jì)者還可選擇將數(shù)字調(diào)諧及自校準(zhǔn)功能集成到VCO中，并通過集成環(huán)路濾波器來(lái)擴(kuò)大VCO的調(diào)諧范圍。

為使數(shù)字電路能處理模擬信號(hào)，它們必須工作在極高的速度。器件截止頻率(Ft)是一種用來(lái)評(píng)價(jià)工藝處理RF信號(hào)能力的簡(jiǎn)單方法(參見圖1)。

總的原則是，F(xiàn)t應(yīng)大約為工作頻率的10倍。例如，要處理1.9 GHz的信號(hào)，F(xiàn)t就必須大約為19 GHz。缺少足夠的Ft是老式CMOS工藝的一個(gè)主要局限，但今天的90納米技術(shù)可提供超過100 GHz的Ft性能。這種極高的Ft很容易就超過蜂窩手機(jī)無(wú)線電的所有要求。

數(shù)字RF處理在過去十年間已經(jīng)登上歷史舞臺(tái)，但隨著SoC轉(zhuǎn)向90納米工藝，“高頻”的含義將隨著Ft的提高而被重新定義。今天，運(yùn)行在1 GHz的DSP能處理整個(gè)數(shù)字域中的“高頻”信號(hào)，甚至可用軟件來(lái)動(dòng)態(tài)控制信號(hào)處理。

最近，TI公布了第二代藍(lán)牙SoC 芯片——BRF 6150，這款芯片給出了用CMOS工藝進(jìn)行SoC集成如何能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低板空間要求和系統(tǒng)成本的一個(gè)范例。BRF6150在一個(gè)4.5mm x 4.5mm的封裝內(nèi)集成了藍(lán)牙基帶、數(shù)字RF及天線開關(guān)，使設(shè)計(jì)者能在50平方毫米的面積內(nèi)增加藍(lán)牙功能(見圖2)。

集成式BRF6150的功耗比同類解決方案低30%，且其待機(jī)電流僅為6uA。它直接與電池連接，無(wú)需使用外部調(diào)節(jié)器。該芯片僅需11個(gè)外部器件，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)復(fù)雜性。這種集成式藍(lán)牙芯片是提高集成度和轉(zhuǎn)向真正數(shù)字無(wú)線電的典型成果。

藍(lán)牙之外

今天，我們能集成藍(lán)牙的一個(gè)主要原因是，它采用功率相對(duì)較低、僅需短距離傳輸?shù)男盘?hào)?，F(xiàn)代手機(jī)要求有-106dBm量級(jí)的靈敏度，且必須能對(duì)鄰近頻段有60dB的抑制，并采用可避免將相位噪聲引入接收頻段的振蕩器。這些極端的性能要求使無(wú)線電集成具有更大的挑戰(zhàn)。使設(shè)計(jì)者可以滿足這些苛刻設(shè)計(jì)約束的許多關(guān)鍵器件，已經(jīng)能夠在數(shù)字域中找到解決方案。例如，全集成的數(shù)字頻率合成器已經(jīng)面市，它的所有內(nèi)部元件都在片上而且沒有外部引腳，這是RF集成技術(shù)的一個(gè)重要里程碑。

集成的另一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是，通過使用更小尺寸的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，無(wú)線電能工作在更低的電壓上。在大多數(shù)情況下，在較低的電壓上工作絕對(duì)是一個(gè)優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槟塬@得更長(zhǎng)的電池使用壽命(這是在現(xiàn)有手機(jī)上引入新功能的一個(gè)主要障礙)以及具有更小的散熱。

但低電壓同時(shí)也會(huì)帶來(lái)一些基本問題，如動(dòng)態(tài)范圍。動(dòng)態(tài)范圍挑戰(zhàn)會(huì)因?yàn)闊o(wú)線通信的遠(yuǎn)近而顯現(xiàn)出來(lái)。例如，如果手機(jī)A靠近蜂窩而手機(jī)B遠(yuǎn)離蜂窩，則手機(jī)B就必須在最大功率上發(fā)射信號(hào)，才能連接蜂窩。

當(dāng)信道A和信道B處于不同頻率上時(shí)，信道B的高功率信號(hào)有可能泄漏至信道A中，故要求手機(jī)A具有抑制遠(yuǎn)信道干擾的能力，以便能在有高功率發(fā)射存在的情況下接收微伏信號(hào)。幸運(yùn)的是，像動(dòng)態(tài)范圍這些問題可通過前端處理這種直接的方式來(lái)加以解決。

產(chǎn)生適合用來(lái)驅(qū)動(dòng)天線的高功率信號(hào)是SoC集成面臨的另一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)。通常，廣域網(wǎng)(WLAN)所用功放的高功率、高電壓及高散熱等因素，使它們不適合用深亞微米CMOS工藝來(lái)進(jìn)行集成。

但需指出的是，這些問題主要與現(xiàn)有廣域網(wǎng)(如GSM 及CDMA)有關(guān)，而距離較短的個(gè)人區(qū)域網(wǎng)(PAN)以及局域網(wǎng)(LAN)可以采用功放集成。

在這種SoC設(shè)計(jì)中，將功放靠近數(shù)據(jù)處理器放置可執(zhí)行自動(dòng)系統(tǒng)校準(zhǔn)，從而提高整體系統(tǒng)性能。此外，由于通過RF集成可以節(jié)省成本、板空間及功耗，數(shù)字RF還能加快一些新興短距離網(wǎng)絡(luò)(包括UWB、Zigbee及網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)等)的開發(fā)。

批量驗(yàn)證

模擬RF集成的另一個(gè)主要障礙是驗(yàn)證，這甚至比保持手機(jī)所要求的大批量生產(chǎn)的良品率更令人生畏。生產(chǎn)用RF測(cè)試儀通常不能測(cè)試數(shù)字邏輯陣列，而邏輯測(cè)試儀又不能提供模擬或RF測(cè)試能力。但我們既不能讓大型SoC的RF部分對(duì)良品率產(chǎn)生很大的影響，也不能讓它延緩SoC向最新工藝節(jié)點(diǎn)的移植。

通過將RF功能移到數(shù)字域，數(shù)字RF處理使得測(cè)試和驗(yàn)證無(wú)線電的過程接近于只有邏輯電路的情況。盡管永遠(yuǎn)都不可能實(shí)現(xiàn)完全的移植(總是存在一定的模擬與混合信號(hào)功能)，但數(shù)字處理技術(shù)可用來(lái)提高測(cè)試與驗(yàn)證過程的效率及可靠性。

采用數(shù)字RF，我們可以完全分析在SoC上的基帶信號(hào)特征，而且一些外部模擬器件也可以實(shí)現(xiàn)閉環(huán)測(cè)試，以評(píng)估信號(hào)質(zhì)量。采用這種方式，我們能夠在系統(tǒng)級(jí)，而不只是在功能模塊級(jí)上對(duì)無(wú)線電性能進(jìn)行測(cè)量。

這不僅能減少所需測(cè)量的數(shù)量，而且能簡(jiǎn)化驗(yàn)證過程。SoC可帶有自檢測(cè)能力，以執(zhí)行自校準(zhǔn)并減少參數(shù)變化對(duì)良品率的影響。這能將良品率維持在缺陷密度限制以內(nèi)，并將無(wú)線電測(cè)試成本降低至一個(gè)很低的水平。此外，數(shù)字RF模塊還能保持進(jìn)行工藝移植的能力，從而可對(duì)芯片進(jìn)行縮放，這也是大批量器件生產(chǎn)的一個(gè)重要要求。

在數(shù)字域?qū)崿F(xiàn)RF功能還能通過執(zhí)行系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化來(lái)減少器件成本及復(fù)雜性。例如，處理來(lái)自多個(gè)無(wú)線電的很多頻率，不只是要求將多個(gè)無(wú)線電放在同一塊裸片上。通過系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)者可采用適當(dāng)?shù)碾娐穪?lái)減少帶內(nèi)寄生信號(hào)的產(chǎn)生。設(shè)計(jì)者還能開發(fā)新的架構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)硬件共用(例如兩個(gè)無(wú)線電共用一個(gè)功能塊等)，從而進(jìn)一步減小無(wú)線電尺寸。由于這些新架構(gòu)主要是以數(shù)字邏輯實(shí)現(xiàn)，所以設(shè)計(jì)者可采用熟悉的EDA仿真與綜合工具，以及數(shù)字測(cè)試與制造測(cè)試套件。

RF無(wú)疑是SoC集成的下一個(gè)主要挑戰(zhàn)，但隨著CMOS工藝等制造技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，RF處理已開始轉(zhuǎn)變成數(shù)字域中的設(shè)計(jì)問題。

隨著每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的尺寸減小及晶體管速度的提高，數(shù)字RF處理將能適用于越來(lái)越多的通信頻段。RF集成不再是一個(gè)是否可行的問題，而且SoC芯片最終能變成在單個(gè)芯片上真正完整的系統(tǒng)。

作者：Bill Krenik
無(wú)線高級(jí)架構(gòu)經(jīng)理
TI公司
Gene Frantz
美國(guó)數(shù)字信號(hào)處理專家