全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所日前共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長(zhǎng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán)，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)帶給大批量市場(chǎng)的客戶群體。

130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)

新創(chuàng)建的130納米平臺(tái)顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨(dú)特的解決方案，達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高性能參數(shù)。受益于這項(xiàng)技術(shù)的領(lǐng)域包括Wi-Fi 6（和未來(lái)的Wi-Fi 7）接入點(diǎn)，以及下一代蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施（特別是5G 毫米波與新興6G標(biāo)準(zhǔn)）和車對(duì)車（V2V）通信；該技術(shù)還將在+100GHz雷達(dá)系統(tǒng)的開發(fā)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。

這項(xiàng)許可協(xié)議延續(xù)了2021年啟動(dòng)的合作，當(dāng)時(shí)X-FAB的銅后道工藝被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技術(shù)中，以提高可支持的帶寬數(shù)據(jù)。關(guān)于這一創(chuàng)新的SiGe平臺(tái)，X-FAB將于2022年第四季度開始與選定的早期合作廠商開展原型開發(fā)項(xiàng)目。早期準(zhǔn)入的PDK可實(shí)現(xiàn)原型設(shè)計(jì)，而量產(chǎn)將在X-FAB法國(guó)位于巴黎附近的工廠進(jìn)行。

IHP科學(xué)總監(jiān)Gerhard Kahmen教授表示：“將IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平臺(tái)，將為客戶打造真正與眾不同的SiGe BiCMOS技術(shù)，這肯定會(huì)帶來(lái)切實(shí)的性能優(yōu)勢(shì)。我們雙方之間的技術(shù)轉(zhuǎn)讓，已成為工業(yè)與研究機(jī)構(gòu)攜手取得卓越成果的完美范例。”

“X-FAB和IHP在融合我們各自優(yōu)勢(shì)資源開發(fā)前沿半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域擁有杰出的成績(jī)；雙方針對(duì)SiGe技術(shù)的最新協(xié)議將這一實(shí)踐帶入令人興奮的全新階段。”X-FAB RF技術(shù)總監(jiān)Greg U'Ren博士表示，“這是雙方進(jìn)一步推進(jìn)SiGe BiCMOS相關(guān)創(chuàng)新的起點(diǎn)，涵蓋了工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子和車載等使用案例，將推動(dòng)在未來(lái)幾年內(nèi)對(duì)通信領(lǐng)域的重新定義。”

縮略語(yǔ)：

BiCMOS     雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體

HBT            異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管

mmW          毫米波

PDK            工藝設(shè)計(jì)套件

RF               射頻

SiGe            鍺硅