硅基增強(qiáng)型功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管之全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布其增強(qiáng)型功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN® FET）SPICE模型被收納入NI最新推出的Multisim 電路模擬及設(shè)計(jì)軟件。Multisim提供全方位的電路分析工具，幫助工程師從先進(jìn)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的應(yīng)用中易于計(jì)算、改變及查尋參數(shù)。

NI Multisim

NI公司產(chǎn)品經(jīng)理Mahmoud Wahby說“現(xiàn)在幾千工程師已使用Multism 13.0 的EPC組件模型來提高功率系統(tǒng)效率、縮小產(chǎn)品尺寸或降低開發(fā)成本，或同時(shí)實(shí)現(xiàn)這三方面的優(yōu)勢。Multisim 也是廣為學(xué)術(shù)界及在功率電子設(shè)計(jì)中使用尖端組件的商戶所采用的領(lǐng)先電路設(shè)計(jì)工具。我們很榮幸Multisim囊括EPC領(lǐng)先業(yè)界的氮化鎵晶體管并期望將來最新的eGaN FET產(chǎn)品繼續(xù)與Multisim合作。”

宜普公司創(chuàng)始人及首席執(zhí)行官Alex Lidow說“為了使eGaN FET產(chǎn)品易于使用，我們把它們開發(fā)為跟硅功率MOSFET器件非常相似的器件之同時(shí)具備更高頻性能。NI公司的MultisimSPICE模型包含我們的產(chǎn)品，為工程師提供易于使用的工具，大大提升氮化鎵器件的易用性，幫助工程師利用氮化鎵器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品。這些器件模型推動(dòng)縮短從設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)到推出市場的時(shí)間及實(shí)現(xiàn)高性能氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢。”

關(guān)于Multisim內(nèi)的EPC組件及必需使用電路模擬的應(yīng)用范例以取得理想的設(shè)計(jì)決策可參看網(wǎng)上廣播ni.com/webcast/3263/en/。

關(guān)于美國國家儀器 （National Instruments）
從1976年開始，美國國家儀器為工程師及科學(xué)家提供推動(dòng)生產(chǎn)力、原創(chuàng)及探索的工具。NI的圖形系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法為工程師提供整合式軟件及硬件平臺，旨在加快任何需要測量及控制的系統(tǒng)的開發(fā)時(shí)間。NI的長遠(yuǎn)愿景及專注于利用技術(shù)改善社會(huì)是為它的顧客、員工、供應(yīng)商及持份者的成就而努力。

宜普公司簡介
宜普公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）場效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、遙感技術(shù)（LiDAR）及D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。