宜普電源轉換公司(EPC)推出采用高性能、寬間距的芯片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN)功率晶體管，進一步擴大其功率晶體管系列、易于實現高產量并與成熟的制造工藝及組裝生產線兼容。

宜普電源轉換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）。這些產品采用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。

與具有相同的電阻的先進硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D類音頻放大器等應用的理想器件。

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宜普電源轉換公司簡介

宜普公司（epc-co.com.cn）是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN?)場效應晶體管直流- 直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。