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Cadence與臺積電合作為16納米FinFET工藝技術開發設計架構

2013-05-03 來源:微波射頻網 字號:

Cadence設計系統公司(Cadence Design Systems, Inc.)(納斯達克代碼:CDNS)日前宣布與TSMC簽訂了一項長期合作協議,共同開發16納米FinFET技術,以其適用于移動、網絡、服務器和FPGA等諸多應用領域。此次合作非常深入,開始于工藝制造的早期階段,貫穿于設計分析至設計簽收,全面有效解決FinFETs設計存在的問題,從而交付能實現超低功耗、超高性能芯片的設計方案。

在16納米及以下工藝技術下設計開發系統級芯片設計(SoC),只有FinFET 技術才具備功率、性能和面積上(PPA)的獨特優勢。與平面FET不同,FinFET采用從襯底上生長出垂直的鰭狀結構,并在其周圍形成環繞柵極,從而提高晶體管速度同時能有效控制漏電。此次,Cadence與TSMC擴大合作范圍,為芯片設計師提供卓越的設計架構以及準確的電氣特性和寄生模型,以促進先進FinFET技術在移動及各應有領域的廣泛應用。

“在從分析到簽收的過程中,FinFET器件的精確度要求更高,這就是TSMC與Cadence合作完成此項目的原因,”TSMC設計架構營銷部高級主管Suk Lee說道。“通過此次合作,設計師將能夠更加放心地使用這項新的工藝技術,從而讓我們的共同客戶實現功率、性能和市場投放時間方面的目標。”

“若要開發適用于這種復雜、新穎工藝的設計架構,代工廠(Foundries)必須與EDA技術創新者緊密合作,”Cadence芯片實現產品集團(Silicon Realization Group)高級副總裁徐季平說道。“通過與FinFET技術領導者TSMC合作,Cadence將利用獨一無二的技術創新和專業知識,為設計師們提供卓越的 FinFET設計能力,將高性能、低功耗產品投放于市場。”

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Cadence公司成就全球電子設計技術創新,并在創建當今集成電路和電子產品中發揮核心作用。我們的客戶采用Cadence的軟件、硬件、IP、設計服務,以驗證用于消費電子產品、網絡和通訊設備以及計算機系統中的尖端半導體器件。公司總部位于美國加州圣何塞市,在世界各地均設有銷售辦事處、設計中心和研究設施,以服務于全球電子產業。

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