全球知名砷化鎵晶圓代工大廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司推出全新的0.12μm GaN-on-SiC技術(shù)，擴(kuò)大其射頻GaN技術(shù)組合。NP12-01毫米波(mmWave) 技術(shù)提供了更高的增益和更高的晶體管穩(wěn)定性因數(shù)。NP12-01技術(shù)適用于5G毫米波無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信和雷達(dá)系統(tǒng)中使用的高功率放大器。

NP12-01平臺(tái)支持全單片微波集成電路 (MMIC)，允許客戶開發(fā)高達(dá)50GHz的緊湊型線性或飽和功率放大器。該工藝適用于28V操作，并在29GHz頻段產(chǎn)生超過(guò)4W/mm的飽和輸出功率，線性增益為13.5dB，效率接近50%。當(dāng)針對(duì)功率附加效率 (PAE) 進(jìn)行優(yōu)化時(shí)，NP12-01在29GHz提供超過(guò)3.5W/mm的輸出功率和超過(guò)50%的PAE。

NP12-01平臺(tái)提供的更高增益和功率附加效率為設(shè)計(jì)人員提供了更大的發(fā)揮空間，以優(yōu)化放大器性能和芯片尺寸，以滿足新一代通信平臺(tái)和雷達(dá)系統(tǒng)日益苛刻的技術(shù)指標(biāo)。根據(jù)功能，這些高性能應(yīng)用需要精確優(yōu)化輸出功率、線性度、增益和效率，而廣闊的權(quán)衡空間對(duì)于平衡放大器性能和產(chǎn)品成本至關(guān)重要。