基于市場應用經驗所開發出來的首款采用4V門坎驅動的氮化鎵晶體及全新電源系統開發方案

業界最高可靠性及率先符合JEDEC和AEC-Q101標準的氮化鎵（GaN）半導體設計和制造的領導者Transphorm Inc.近日宣布推出其第三代(Gen III）650伏（V）GaN FET。 采用Gen III技術的功率晶體，可降低電磁干擾（EMI），提高柵極噪聲抑制能力，在于電路應用中可提供更大的設計余量。

此屢獲殊榮的平臺，其改革起源于Transphorm團隊與客戶共同合作于生產或即將發布的終端產品設計所獲得的知識。即將發布的Gen III組件包含TP65H050WS 50mΩFET和TP65H035WS 35mΩFET，兩者均采用標準TO-247封裝。

Transphorm豐富的客戶合作經驗=產品開發的優勢

Transphorm是唯一擁有開發FET中各種階段所需之關鍵技術的GaN半導體公司之一。有鑒于此，在借助Gen I及Gen II的平臺和客戶共同開發設計時所獲知識能被應用于GaN on-Si技術，以提高晶體管的質量、可靠性和性能。經由所匯集的數據還能促進開發技巧，簡化設計的復雜度，提高安全質量和/或進一步增進電源系統的性能。

進一步地探究邁向Gen III所帶來的機會主要有二：大幅增加GaN技術本身固有的優點并增強了FET的性能。 此外，設計和制造的創新使Transphorm能夠降低組件價格，創造更佳的投報率。

就技術上而言，新型MOSFET與其它設計修改的結合使Gen III組件能夠提供：

· 將Gen II的柵極門坎電壓（噪聲抗擾性）從2.1 V提高到4 V，無需使用負壓柵極驅動。
· 柵極可靠性額定值為±20 V；比第二代增加11％。

因此，切換更安靜，同時此平臺可簡化外部電路并可操作于更高的電流水平和實現更好的性能。

關于已獲悉到的一些設計技術，Transphorm在其app note 0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs 發布了妥善用于抑制振蕩的解決方案。 范例中建議使用包括直流鏈RC緩沖器和開關節點RC緩沖器，上述對策增加了穩定性且不會對效率產生不利影響。值得注意的是，上述解決方案可以使半橋和無橋式圖騰柱PFC拓撲受益。

“根據客戶需求和實際經驗進化發展我們的GaN技術對我們來說非常重要。 我們的Gen III FET體現了我們堅持這一基本理念的可能性。”Transphorm技術營銷副總裁Philip Zuk表示。

“我們帶來了一種更安全，更具成本效益的高電壓GaN FET。 我們相信這些產品將被客戶視為新一代的功率半導體，提供無與倫比的效率，高功率的處理能力和其它易于使用的性能優勢。”Transphorm資深工程副總裁Yifeng Wu博士補充道。

Gen III 650 V產品線詳情

供貨狀況：目前出貨中

· TP65H050WS 50 mΩTO-247單價：8.86美元(以1000個單位批量計算單價)
· TP65H035WS 35 mΩTO-247單價：11.55美元(以1000個單位批量計算單價)

最佳輸出額定值：1.5 kW至5.0 kW 取決于各種不同應用的設計方式

市場應用：

· 工業系統電源應用
· 數據中心
· 商用電源
· 可再生能源

設計資源：

· 規格書
· 測試評估套件
· SPICE模型
· 高質量的白皮書