提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優異，同時減少了組件總數，節省了寶貴的電路板空間。

貿澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅動器和兩個半橋配置的650 V、60 A GaN增強模式晶體管。HEY1011是一款隔離式柵極驅動器，專為驅動具有快速傳播延遲和高峰值拉/灌能力的GaN FET進行了優化，適用于需要隔離、電平移位或接地隔離以實現抗噪性的高頻應用。由于HEY1011驅動器不需要二次側電源或自舉組件，因此釋放了寶貴的板空間，使設計更具成本效益。

為了幫助緩解柵漏電容電流的影響，GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅動裝置。該板可以執行雙脈沖測試或將半橋連接到現有LC電源段。雙脈沖測試可用于安全地評估硬開關條件下電源開關的特性。

GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板適合用于開發大功率無線充電器、工業逆變器、電機驅動/VFD、數據中心、住宅儲能系統以及其他電力電子應用。

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關于貿澤電子 (Mouser Electronics)

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關于GaN Systems

GaN Systems提供多種氮化鎵高功率晶體管，適用于消費電子、數據中心、工業與運輸功率轉換應用。這些器件具備極低的導通電阻與極小的電荷儲存能力，可提供優于現有硅基解決方案的切換效率，并為開關電源設計、逆變器、混合動力汽車與電動車、電池管理及功率因子校正提供了顯著的優勢。