移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布，已將其QGaN25氮化鎵專利（GaN）擴展于碳化硅（SiC）工藝，并用以生產6英寸晶片的單片式微波集成電路（MMIC）。據估計，從4英寸到6英寸晶片的過渡，大約能使Qorvo公司的氮化鎵-碳化硅生產能力增加一倍，并且對制造成本產生有利影響- 尤其對價格實惠的射頻器件生產，能起到顯著的推進作用。

“作為6英寸晶片單片式微波集成電路的成功典范，氮化鎵-碳化硅為顯著提高生產能力和成本效益鋪平了道路”，Qorvo公司的基礎設施和國防產品集團（IDP）總裁詹姆斯·克萊因說。

Qorvo公司表示，要將自己的QGaN25生產工藝擴展于高收益、X波段的單片式微波集成電路功率放大器（PA）上，氮化鎵-碳化硅晶片從4英寸到6英寸的轉變，為所有的氮化鎵-碳化硅晶片向6英寸晶片生產工藝轉化鋪平道路，與此同時柵極長度范圍也從0.15微米轉變為0.50微米，覆蓋了微波到毫米波的全頻段（MMW）應用領域，預計在2016年將實現全面生產。

12瓦X波段的點對點單片式微波集成電路功率放大器，滿足大于8％的直流和射頻收益率。這個工藝的可行性，為向基于無線收發器的商業網站（BTS）、點對點廣播，有線電視和國防市場，提供高效的產品奠定了基礎，Qorvo說。

據Qorvo公司估計，晶片規模的擴大，鞏固了其國防制造電子局認可的1A可信源的地位。在2014年，該公司就完成了國防生產法第三章的氮化鎵-碳化硅項目，并成為取得生產準備等級（MRL）9的第一家公司，這表明它高超的制造工藝已經為全面生產做好準備。

美國國防部的生產準備評估（MRA），為制造、生產和能滿足作戰任務需求的質量要求提供了保證。這個過程確保了產品或系統從工廠到使用順利過渡，為客戶實現最高的價值，并滿足全部性能、成本和容量目標。（工業和信息化部電子科學技術情報研究所唐旖濃張溪）