飛思卡爾半導體公司[NYSE: FSL] 日前推出了其首款蜂窩移動通信基站專用的氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管。新產品A2G22S160-01S在無線基礎設施應用所使用的30W和40W放大器中表現優異。這款產品是面向蜂窩移動通信市場的Airfast系列GaN晶體管的第一款產品。

作為射頻功率晶體管市場的領跑者，飛思卡爾推出的GaN射頻解決方案使客戶在無線基礎設施市場中有了更多世界級的產品選擇。就在新產品發布的幾個月前，飛思卡爾才推出了MMRF5014H，這是它第一款面向軍事及工業應用的GaN 射頻功率晶體管。目前，這款產品在熱感與寬帶射頻性能表現方面仍是100W級別GaN晶體管中的佼佼者。

飛思卡爾高級副總裁兼射頻業務總經理Paul Hart表示： “飛思卡爾正將GaN應用從小眾市場引領向如蜂窩移動通信基礎設施這樣的主流應用市場。是時候向我們龐大的電信客戶群推薦我們的GaN解決方案了。除了A2G22S160-01S的超級性能外，我們的蜂窩移動通信客戶還將擁有飛思卡爾的高產能和全球性的售后服務做保障。”

與硅相比，GaN具有更高的功率轉化效率，更快的轉換速度以及更高的功率密度，故而以它為基礎而制造出的功率晶體管與傳統器件相比體積更小，功能也更強大。這要得益于GaN的幾大特性—較寬的帶隙，較強的臨界電場以及高水平的電子遷移率。雖然GaN的轉移在過去花費過高，但最近的商業和技術進步正使制作成本逐漸降低。作為半導體制造業中一直以來的領跑者，飛思卡爾正在某些世界級的大型市場展示GaN材料的優點，同時也在主流商業基站市場中實現了GaN功率放大器的大規模部署。

飛思卡爾Airfast系列射頻功率產品涵蓋了600MHz到3.8GHz的所有無線蜂窩移動通信頻段，采用多種半導體技術。A2G22S160-01S專為1800-2200MHz頻率范圍的基站設計，性能優異。例如，在40W的Doherty雙向不對稱放大器中，其載波通道裝有一根A2G22S160-01S晶體管，峰值通道裝有兩個A2G22S160-01S晶體管，則它的最大輸出功率為56.2dBm。通過8dB的輸出回退（OBO），功率增益可達到15.4dB, 效率則可達到56.7%。當此放大器受到兩個20MHzLTE載波單元（聚合后的帶寬則為40MHz）的驅動時，具備數字預失真（DPD）功能的鄰道功率（ACP）則為55dBc。

供貨

A2G22S160-01S GaN 射頻功率晶體管現正在生產中，參考設計和其他支持方案已可獲得。有關定價及其他信息，請聯系當地飛思卡爾銷售辦公室。

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