宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出采用半橋式拓?fù)洳⑴鋫湟粋€板載柵極驅(qū)動器的開發(fā)板，可簡化對超高頻、高性能的EPC8000氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN®FET）系列進(jìn)行評估。

EPC公司推出全新開發(fā)板系列(型號由EPC9022 至EPC9030)，可簡化對超高頻氮化鎵（eGaN）功率晶體管EPC8000產(chǎn)品系列進(jìn)行評估。

由于 EPC8000系列 的高頻氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）在亞納秒范圍內(nèi)開關(guān)，因此適用于10 MHz頻率以上的硬開關(guān)應(yīng)用，使得功率及射頻晶體管的分界線變得模糊！我們設(shè)計它們工作在10 MHz頻率下。即使在10 MHz以上時，這些產(chǎn)品也具有非常高的小信號射頻性能，并且在低吉赫茲頻率范圍內(nèi)具有高增益，使得這些器件成為射頻應(yīng)用中極具競爭力的一個選擇。對于需要具極速開關(guān)性能的功率晶體管的應(yīng)用如無線電源、采用65 V及100 V器件的包絡(luò)跟蹤等應(yīng)用，它們是理想器件。

EPC8000 系列的產(chǎn)品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔電壓能力可供選擇。

為了簡化對高頻、高性能的氮化鎵場效應(yīng)晶體管進(jìn)行評估，宜普公司為這個全新產(chǎn)品系列內(nèi)的每一個器件提供開發(fā)板。每塊開發(fā)板是塊2英寸x1.5英寸單板，內(nèi)含兩個氮化鎵場效應(yīng)晶體管，使用半橋式配置，最低開關(guān)頻率為500 KHz。板上集成了所有關(guān)鍵組件以實現(xiàn)最高頻開關(guān)性能。此外，電路板上還備有多個探測點(diǎn)，以便測量簡單波形及計算效率。 

EPC8000 產(chǎn)品系列的規(guī)范及相關(guān)的開關(guān)板

給評估使用的EPC8000系列器件可供選購，它們以兩件及十件器件包裝，價錢由23美元起，可通過Digikey公司購買。

EPC9022至EPC9030型號的開發(fā)板的單價為150美元，也可以通過Digikey公司購買。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡介
宜普公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、光學(xué)遙感技術(shù)（LiDAR）及D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。