宜普電源轉換公司(EPC)近期宣布推出采用增強型氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET）的EPC9004開發板， 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應晶體管而優化的集成電路柵極驅動器，可幫助設計工程師簡單地及以低成本從硅功率晶體管改為采用更高效的氮化鎵場效應晶體管。

EPC9004開發板是一種200 V峰值電壓、2 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2012氮化鎵場效應晶體管，并同時配合德州儀器公司的快速柵極驅動器（UCC27611），從而縮短設計高頻及高效功率系統的時間及減少設計的復雜性。

推出EPC9004開發板的目的是簡化評估高效氮化鎵場效應晶體管的過程，因為這種開發板是塊2英寸x1.5英寸單板，板上集成了所有關鍵元件，因此易于與目前任何轉換器連接。此外，電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發板一起提供的還有一份供用戶參考的速查指南，使用戶可以更容易使用開發板。

受益于200 V的EPC2012晶體管的應用包括無線電源充電、磁力共振掃描及具低射頻的應用如智能儀表通信設備。

EPC9004開發板的單價為95美元，客戶可以通過DigiKey公司在網上購買，網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en 。

氮化鎵場效應晶體管的設計資料及技術支持

EPC9004速查指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9004_qsg.pdf
EPC2012及所有宜普氮化鎵器件的數據表，可在這個網頁下載: http://epc-co.com/epc/Products.aspx
關于開發板及其它設計支持的資料： http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/DemoBoards.aspx

宜普公司簡介
宜普公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括服務器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com 。