下一代移動無線網絡——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所（Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF）近日開發出實現5G網絡不可或缺的一種建構模組：以氮化鎵（GaN）技術制造的高功率放大器電晶體。

Fraunhofer的研究人員Rüdiger Quay表示，芯片上的特殊結構可讓基站設計人員以極高的電壓（較一般更高的傳送功率）執行該組件。在其Flex5Gware計劃中，Fraunhofer IAF已經開始在6GHz頻率展開組件的原型測試了。

在這一類的應用中，能量需求取決于傳輸頻寬。Quay解釋，所傳送的每1位都需要穩定且一致的能量。由于5G可實現較現有商用移動無線基礎架構更高200倍的頻寬，因而有必要大幅提高用于傳統5G高頻寬訊號的半導體組件能效。

除了創新的半導體，研究人員們還使用高度定向天線等措施來提高能量效率。

在金屬加工制程中產生的副產品——鎵（Gallium）十分普及。包含GaN的白光與藍光LED也有助于提高GaN的產量，使得GaN成為當今一種更可負擔的組件。其結果是，Fraunhofer IAS指出，相較于硅（Si）組件，GaN組件由于在整個產品壽命周期已超過其更高的制造成本，因而實現更節能的組件。