LTE-Advanced（先進長期演進計劃，LTE-A）商轉啟動，下一代5G標準蓄勢待發，驅動移動設備射頻系統規格升級，射頻（RF）元件需求急速增長。系統廠為支持100MHz超大頻寬、40個以上頻段并降低噪聲干擾，除計劃增加低噪聲放大器（LNA）和功率放大器（PA）等射頻元件用量外，也將要求射頻前端模組（FAM）提高功能整合度，吸引芯片商加緊展開卡位。

英飛凌（Infineon）電源管理及多元電子事業處射頻兼保護元件協理麥正奇表示，隨著多頻多模LTE及LTE-A設計加溫，手機廠對FAM各類元件如PA、LNA、開關（Switch）和濾波器（Filter）等需求皆顯著攀升，進而激勵硅鍺碳（SiGe:C）、砷化鎵（GaAs）和互補式金屬氧化物半導體（CMOS）射頻元件供應商士氣大振，正相繼投入開發新產品。

除美、日和韓全面啟動LTE商機外，中國也可望于今年下半年發出4G牌照，加速TD-LTE運營，而臺灣也可望于年底順利發照，讓LTE進入高速成長期，并朝國際漫游與可向下相容2G/3G的多頻多模規格發展。不僅如此，南韓、美國電信商近期更進一步點燃LTE-A商轉戰火。

隨著移動通信技術不斷驅動，移動設備射頻FAM也須在有限空間內導入高整合設計。目前多頻多模LTE手機須支持十幾個頻段，搭載PA、LNA和射頻開關數量皆較3G手機倍增，其中PA需七至八顆、LNA和開關則需二十到三十顆；未來手機邁向更高速、頻寬更大且使用頻段更多元的LTE-A和5G，射頻元件用量更將三級跳，驅動晶片商提高產品整合度，以縮減占位空間及功耗。

傳統砷化鎵射頻方案受限于工藝特殊性，難與其他系統零組件整合，因此芯片商正猛踩油門推進新一代工藝與封裝技術。如英飛凌主攻硅鍺碳材料工藝，并搭配小型晶圓級封裝（WLP）方案，打造高性能、高整合度且支持高頻切換的單晶微波積體電路（MMIC）LNA；而高通（Qualcomm）也推出CMOSPA，通過CMOS工藝整合更多周邊元件。

硅鍺碳在射頻性能、品質和可靠度表現方面皆可媲美砷化鎵，且更容易整合CMOS射頻開關或其他零組件；因此，這幾年硅鍺碳元件出貨量暴增，在MMIC LNA市場的滲透率已與砷化鎵元件相當。近期，英飛凌硅鍺碳MMIC LNA更順利打進聯發科多頻多模LTE公板建議清單，可望在今年底至明年繼續提高市場占有率。

至于PA部分，其主掌射頻信號發送須更高功率與穩定度，目前仍以材料特性較佳的砷化鎵方案為主，但CMOSPA挾成本和功能整合度優勢，未來則可望在低階手機市場崛起。此外，英飛凌也已將硅鍺碳LNA加PA的系統封裝（SiP）或單芯片整合方案列入下一代產品藍圖，有助手機廠兼顧射頻性能與系統體積。

不過，由于LTE-A與5G規格尚未完全確定，業界也傳出手機廠為達到高速高品質傳輸性能，必須舍棄整合型射頻方案轉向分離式設計；對此，麥正奇回應，目前確實有射頻芯片商投入研究更前瞻的氮化鎵（GaN）工藝，并以外掛方式提升射頻系統功能，但是元件整合一向是產品降價和省電的關鍵，因此仍須等通信標準定論后，才能依規格需求找出最佳的設計平衡點。