世紀晶源科技有限公司成立于2004年11月，注冊資本23億元人民幣，是落戶深圳市的超大型高科技重點項目，是國家科技部批準的“國家半導體照明工程產業化基地”，是深港兩地經濟與高科技合作的最大項目。它是由香港知名人士、資深的香港特別行政區全國政協委員高敬德太平紳士全額投資，香港特別行政區全國政協委員梁志敏、施祥鵬、周安達源等作為董事投身參與的宏大產業，堪稱產業報國的典范。

    據了解，位于光明高新技術產業園區的世紀晶源科技有限公司暨化合物半導體產業基地占地3平方公里，總投資320億元人民幣，五年左右達產后可實現10萬人就業。實現年產值1000億元人民幣以上，拉動相關產業年產值約4000億元人民幣以上。這里將成為全球最大的化合物半導體產業基地、半導體照明產業基地、節能環保產業基地、信息產業基地，是我國唯一產業全覆蓋、產品高端化、技術核心性、自主創新型的化合物半導體產業基地。

    “經國際最權威的檢測機構對該企業試生產的產品檢驗，一號廠房生產的，微波器、激光器外延片，質量水平直達世界最高；LED外延片，質量已達到日本、臺灣同類產品的最高水平。”已有幾家跨國企業前來訂貨。11日的投產儀式上，世紀晶源科技有限公司董事長高敬德介紹說，鑒于我國化合物半導體產業的發展在外延片、芯片和大功率封裝這三個關鍵技術產品上亟待突破與提高，“世紀晶源”在產業基地核心區主要發展化合物半導體微波器、化合物半導體激光器、化合物半導體照明、化合物半導體太陽能等四大產業。按照規劃，產業基地核心區一期將主要從事化合物半導體領域最為核心的外延片與芯片產品的研發生產，填補我國在該高科技領域的空白，生產出與國際水平同步的化合物半導體高端核心技術產品，帶動化合物半導體這一新興產業的良性快速發展，形成一個新型高科技產業集群。

    新聞鏈接一：

    關于化合物半導體產業

    世紀晶源科技有限公司發展的化合物半導體，是以砷化鎵、磷化銦和氮化鎵等為代表，包括許多其他三五族化合物半導體。其中，以砷化鎵技術較為成熟，應用較廣。化合物半導體與硅基半導體最大的不同，一是電子遷移率快許多，因此適用于高頻傳輸，在無線電通訊如手機、基地臺、無線區域網絡、衛星通訊、衛星定位、相控陣雷達等皆廣為應用。二是具有直接帶隙，可適用于發光領域。如發光二極管(LED)、激光二極管(LD)、光接收器(PIN)及太陽能電池等產品。可用于制造超高速集成電路、微波器件、激光器、光電及抗輻射、耐高溫等器件，總之，化合物半導體正帶動著光通訊、光存儲、移動通訊等信息光電子、軍用光電子、能量光電子、汽車光電子、家電消費光電子等產業的蓬勃發展，對信息產業、國防戰略、能源戰略、環保戰略等極具重要價值，對提高綜合國力至關重要。

    目前國際上化合物半導體產業領域還沒有形成強壟斷力量，國內外市場潛力巨大，及時抓住這一戰略性機遇，不僅可一舉扭轉國內市場單純依賴進口外延片和芯片的局面，還可打入國際市場，改變全球化合物半導體產業的市場格局。我國已失去以硅為代表的第一代半導體與微電子產業發展的時機，不能再次失去作為第二代、第三代半導體的化合物半導體與光電子產業發展的這一難得機遇！

    從技術水平看，以LED產業領域為例，中國已具備一定技術和產業基礎，是我國為數不多的與發達國家差距不大的高新技術產業。與微電子相比，我國在半導體發光器件領域與國外的差距較小。我國自主研制的第一個發光二極管，比世界上第一個發光二極管僅僅晚幾個月。總體來說，目前我國半導體發光二極管產業的技術水平，與發達國家只相差3年左右。

    市場空間是：根據ElectronicsPublications出版的報告，2006年，全球化合物半導體相關的產品，僅材料和器件部分的市場就已達到200億美元，而整個化合物半導體與光電子產業市場更高達3000億美元。國際業界預計，21世紀是光電子的世紀，至2015年，以化合物半導體為核心的光電子產業將會取代傳統電子產業，成為21世紀最大的產業，并成為衡量一個國家經濟發展和綜合國力的重要標志。

    如果以落實科學發展觀、構建和諧社會的政濟視野來審視，我們還可以說，世紀晶源暨化合物半導體產業基地是一個在產業層面體顯時代意義的典范。僅以清潔型新能源為例，這里將成為世界最大的薄膜太陽能產業基地，在我國能源將長期嚴重短缺的二十一世紀，將會對國家新能源做出巨大的貢獻。另以節能環保為例，這里是國家級的半導體照明產業化基地，由于LED半導體照明有節能、環保、超長壽命等不可替代的優點，將是今后通用照明的必然趨勢。如果中國1/4的照明用白光LED替代的話，意味著每年將節約一個三峽電站的年發電量！另以節省的電價和二氧化碳等排污量折算，年可節約相當于7.5億噸發電煤炭，約占全國發電煤的1/3，對環保作用極大。

    新聞鏈接二：

    關于自主創新能力建設

    細究“世紀晶源”與“產業基地”，這里的獨特性在于：依靠具有專利專有技術的世界一流技術團隊、世界頂尖的技術設備、世界一流的經營管理團隊，再加上國內已有的基礎，有條件形成自主創新的跨越式趕超。如果用一個約定的說法，是引進、吸收、創新、提高。或者說，先追趕，然后迅速超越。

    世紀晶源科技有限公司董事長高敬德說，在全球化合物半導體產業的核心技術層面里，海外華人處于重要的領頭、支配地位。“世紀晶源”的技術團隊，絕大部分是美籍、外籍華人、港臺人士或中國大陸海歸。引進人才對我們很重要，過去中國造不了原子彈，引進了人才不就成功了嗎？“產業基地”擁有完整的化合物半導體技術團隊，具備國際一流的微波器、激光器、LED外延片與芯片及高端封裝器件的產業化技術。現有核心技術專家60余人，技術團隊核心成員均來自于世界化合物半導體產業領先層面，掌握許多專有技術和專利技術。

    引進尖端設備是同樣的道理。國內有許多先進的科研成果和專利，但沒有先進的設備去生產，也沒有先進的實驗室再深入研發。從這個意義說，我們筑了一個巢。尖端設備+技術團隊+經營團隊+國內基礎，科學務實對接組合，一個自主創新的產業會馬上形成。每一個產品都是一種創新，自主創新將層出不窮。

    關鍵性尖端設備，在現階段自主創新中的作用至關重要。梁志敏董事指出，美歐日等西方發達國家對于我國引進化合物半導體產業所必需的關鍵性尖端設備，均實行嚴格的限制措施。“世紀晶源”斥巨資引進了價值幾十億港元的化合物半導體產業發展必需的關鍵性尖端設備，近300個集裝箱，包括目前國際上最先進的MBE和MOCVD外延設備與芯片制作設備。

    施祥鵬董事說，企業設立研發中心，在自主創新中更為重要。“世紀晶源”在人才與設備的基礎上，投入7億多元人民幣建立了幾個研發中心和研究院，這是體現深圳化合物半導體產業基地未來自主創新核心技術能力的重要載體，同時也是產業基地在行業內領先地位的顯著標志。

    周安達源董事介紹，產業基地初期建設四大化合物半導體技術研發機構，并使之成為深圳乃至全國化合物半導體的公共技術平臺。包括：深圳市化合物半導體工程技術研究開發中心，深圳市半導體照明工程技術研究開發中心，國際化合物半導體分析測試中心，深圳市化合物半導體工程技術研究院等。研究開發中心擁有三項重要功能，即公共技術實驗平臺功能、國際檢測中心功能、核心產品孵化器功能。

    “不會像傳統的科研機構那樣為技術而技術，為研究而研究，窮首皓經，閉門研發，而是在開放中采用先進的管理與市場機制，在世界先進技術的基礎上再進一步，成為集成創新的一個高地，成為引進、吸收基礎上加以創新、提高的主陣地。”高敬德如是剖析研究開發中心與研究院的功能。同時，為了創新的夢想，“世紀晶源”2006年斥資1000萬美元，啟動了創新、專利獎勵基金。

金屬有機化學氣相沉積系統(MOCVD)監測工作

世紀晶源首期一號廠房