一、 為什么參加

由于移動通信、藍牙、wifi、gps、北斗等無線應(yīng)用的普及，較低頻段的頻譜已經(jīng)非常擁擠。迫使包括5G通訊和下一代wifi向更高頻率轉(zhuǎn)移，再加上傳統(tǒng)微波毫米波頻段的通訊（地面、衛(wèi)星、點對點等）、雷達、成像、安檢等應(yīng)用，高頻無線應(yīng)用和太赫茲應(yīng)用已經(jīng)成為目前研究的重點。此外，有線通訊也得到了快速發(fā)展，如400Gb/S的光傳輸、10Gb/S的光纖入戶、以及其他超寬帶超高速應(yīng)用等。

鍺硅BiCMOS技術(shù)在擁有傳統(tǒng)的CMOS器件的同時，集成了高速的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）。該技術(shù)的成本近似于傳統(tǒng)CMOS，而高頻性能卻接近三五族技術(shù)。德國創(chuàng)新高性能研究所IHP一直致力于鍺硅BiCMOS及其附加技術(shù)的研究，例如硅基光電單片集成技術(shù)（EPIC）、RFMEMS、TSV、鍺硅BiCMOS集成磷化銦技術(shù)等世界領(lǐng)先的處理工藝和技術(shù)。目前IHP擁有全世界最快的鍺硅技術(shù)，其HBT的截止頻率fmax可達700GHz，已經(jīng)成熟并商用的工藝也高達500GHz。

本次培訓(xùn)IHP派出PDK技術(shù)開發(fā)負(fù)責(zé)人和鍺硅BiCMOS技術(shù)支持負(fù)責(zé)人擔(dān)任主講，包含以下內(nèi)容：

內(nèi)容一、講解并上機實踐鍺硅BiCMOS PDK的特點、使用方法、安裝方法等。

內(nèi)容二、講解并上機練習(xí)模擬/射頻cadence設(shè)計流程， 如原理圖、仿真、版圖、DRC、LVS等。可以使初學(xué)者快速掌握從原理圖到最終流片版圖的完整流程。

內(nèi)容三、講解并上機練習(xí)如何進行電/熱仿真，確認(rèn)芯片溫度分布梯度，三極管核心溫度等，對于避免芯片熱燒毀、提高芯片的壽命和穩(wěn)定性等非常重要。避免熱燒毀和降低結(jié)溫是一直困擾芯片設(shè)計人員的難題，一般只能靠經(jīng)驗判定，IHP是首家提供基于電信號進行熱仿真解決方案的鍺硅廠家。

內(nèi)容四、講解并上機練習(xí)如何使用ADS和cadence進行交互式設(shè)計。比如ADS中設(shè)計的原理圖，無源結(jié)構(gòu)和高頻版圖等可以直接被cadence使用，無需重復(fù)輸入，節(jié)省時間、避免出錯。同理cadence的設(shè)計也可在ADS環(huán)境中直接打開，可以提高整個設(shè)計團隊的工作效率。

二、 誰應(yīng)該參加

這次培訓(xùn)主要針對一線的模擬IC和射頻IC設(shè)計人員，包括工業(yè)界的研發(fā)人員、科研人員（高校研究所等）、在讀學(xué)生等（碩士博士等）。企業(yè)和研究機構(gòu)的項目管理人員，比如雷達、無線通訊、成像、安檢、光電集成芯片等方向的項目。我們也歡迎企業(yè)高管能參與并洽談引進IHP鍺硅BiCMOS技術(shù)或晶圓廠間合作等事宜，促進國內(nèi)鍺硅工藝技術(shù)的發(fā)展，實現(xiàn)高端制造的國產(chǎn)化。

三、培訓(xùn)安排

培訓(xùn)時間：2017年12月11-12日 （2天）
報到時間：2017年12月11日，上午8：30-9：30
培訓(xùn)地點：北京市朝陽區(qū)北土城西路3號中科院EDA中心培訓(xùn)教室

四、培訓(xùn)注冊費用

由于本次培訓(xùn)教室的電腦數(shù)量有限，每臺電腦最多兩個人，建議想?yún)⒓拥膯挝患叭藛T盡早報名。

本次培訓(xùn)的收費標(biāo)準(zhǔn)為4000元/人（包含授課費、場地租用費、服務(wù)器電腦租用費、ADS/cadence軟件培訓(xùn)授權(quán)費、資料費、培訓(xùn)期間的午餐和茶歇飲品等），其余交通、食宿等費用由會員自理。

老師和學(xué)生報名可享受優(yōu)惠價：老師：3500，學(xué)生：3000.

請于2017年12月5日前將注冊費匯至：

戶名：南京問智微電子有限公司
開戶行：工商銀行江寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)支行
賬號：4301021119100315972

五、培訓(xùn)報名方式

請各單位收到通知后，積極選派人員參加。

下載“報名注冊表”

報名截止日期2017年12月5日，請在此日期前將報名回執(zhí)發(fā)送email到：n.xie@hk-microsystem.com

聯(lián)系電話：025-5277 2077；153 6508 8509

六、課程具體安排

第一天：2017年12月11日（星期一）

9：30–9：40 Opening Remarks
開課致辭

9：40–10：05 Design Kit Installation
詳細(xì)講解Cadence PDK的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、內(nèi)容以及安裝方法和具體linux指令等

10：05–11：00 Design Kit Elements and Features （Part1）
PDK元素和特點（一）。詳細(xì)講解PDK中元素在原理圖、版圖中的形式和使用方法。并通過簡單的電路設(shè)計實例完成從原理圖到后仿和gds文件生成的全部cadence設(shè)計流程。

11：15–12：30 Design Kit Elements and Features （Part2）
PDK元素和特點（二）。繼續(xù)上一節(jié)。期間會不斷穿插上機實踐內(nèi)容，通過簡單的設(shè)計學(xué)習(xí)完整的cadence設(shè)計流程。

13：30–15：00 Design and Simulation of a 500GHz Push-Push Oscillator in Cadence Environment
在cadence環(huán)境中500GHz推-推諧波振蕩器的設(shè)計和仿真。基于上一節(jié)的cadence設(shè)計流程，針對太赫茲研究的快速發(fā)展，演示硅基太赫茲電路的設(shè)計、仿真、到最后版圖等一整套高頻設(shè)計流程，并在講解過程中穿插上機實踐內(nèi)容，加深鞏固學(xué)習(xí)效果。

15：00–16：00 How to install IHP PDKs for ADS
講解如何正確安裝ADS PDK

16：20–17：30 RFIC Virtuoso interoperability
ADS RFIC和cadence Virtuoso的交互式設(shè)計。講解什么是交互式設(shè)計，如何在ADS中使用cadence庫、需要的環(huán)境設(shè)置等。通過一個低噪聲放大器的設(shè)計實例，詳細(xì)講解如何實現(xiàn)ADS和cadence的交互式設(shè)計方法。中間會穿插上機實踐內(nèi)容，學(xué)員有機會了解整個工作環(huán)境，感受交互式設(shè)計的方便性和靈活性等。

第二天：2017年12月12日 （星期二）

9：00 - 11:00 Electro Thermal Simulation
電/熱仿真。講解如何實現(xiàn)電、熱同時仿真的原理和實現(xiàn)過程，讓電路設(shè)計人員在設(shè)計的初期就能了解芯片版圖布局、散熱能力等是否合理，以及由于電路工作時發(fā)熱造成的性能下降。通過一個低噪聲放大器的實例講解如何熱仿真、畫出熱分布梯度圖、判定管心的核心溫度等，期間學(xué)員會動手實踐整個熱仿真設(shè)置和過程。

11：20-11：50 PDK Documentation
講解PDK文檔的使用方法。

11：50-12：30 MPW Organization, Tape-in Procedure
介紹鍺硅BiCMOS的多項目晶圓的組織情況和具體流片過程。

13：30-14：00 Design Kit Support
PDK的技術(shù)支持途徑和方法。

14：00-14：20 Pack up
總結(jié)

14：00-17：30 Questions, discussions and further practices
提問、討論和練習(xí)所學(xué)內(nèi)容。由于培訓(xùn)人員是IHP PDK的技術(shù)負(fù)責(zé)人，可針對本次培訓(xùn)內(nèi)提問，也可以針對使用IHP PDK的過程中碰到的問題提問。討論范圍可以較寬，例如技術(shù)轉(zhuǎn)移、未來鍺硅發(fā)展方向、對我們的意見建議等。 對于初學(xué)者而言，可以利用這段時間溫習(xí)一下本次培訓(xùn)的內(nèi)容。

七、授課專家簡介

Anton Datsuk博士
IHP ADS PDK技術(shù)開發(fā)負(fù)責(zé)人

2004年畢業(yè)于電子技術(shù)國家研究大學(xué)（莫斯科）(National Research University of Electronic Technology),計算機和電子工程專業(yè)。隨后加入Cadence公司，期間負(fù)責(zé)開發(fā)了很多cadence的PV工具，例如Dracula，Assura和PVS等。2007年受邀到飛思卡爾半導(dǎo)體（freescale）開發(fā)數(shù)字庫，主要負(fù)責(zé)數(shù)字庫的建模、驗證和數(shù)字庫的更新?lián)Q代等。

2013年他受聘于德國創(chuàng)新高性能研究所IHP，作為ADS PDK的技術(shù)開發(fā)負(fù)責(zé)人。Datsuk博士多年來一直從事最前沿的半導(dǎo)體仿真工具和PDK的開發(fā)，積累了豐富的仿真設(shè)計經(jīng)驗。

Wolfgang Wichmann
IHP鍺硅BiCMOS技術(shù)支持負(fù)責(zé)人

1980年畢業(yè)于耶拿的弗萊德里西-席勒大學(xué)（Friedrich-Schiller-University of Jena）， 物理學(xué)碩士。同年加入HFO公司，該公司是東西德合并之前最重要的東德半導(dǎo)體工廠。作為項目經(jīng)理他主要負(fù)責(zé)模擬定制芯片的開發(fā)，積累了大量的集成電路設(shè)計經(jīng)驗，包括電路仿真、版圖設(shè)計、以及版圖驗證等。

目前wolfgang wichmman工作于德國創(chuàng)新高性能研究所IHP的PDK團隊，主要負(fù)責(zé)IHP鍺硅BiCMOS技術(shù)的客戶支持，同時也幫助IHP的PDK客戶解答各種疑難問題。


孫耀明博士

1997年獲得西安電子科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位， 2003年獲得比利時魯汶大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位，2009年獲得德國科特布斯大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位。曾任職德國創(chuàng)新高性能研究所IHP，資深科學(xué)家、博導(dǎo)。孫博士長期從事RF、微波毫米波系統(tǒng)級芯片SoC的研究工作。

2006年開發(fā)成功歐洲第一顆硅基60GHz無線通訊收發(fā)機芯片SoC，室內(nèi)多徑環(huán)境可達1Gbit/S （與同時期唯一的另一顆60GHz SoC相當(dāng)，IBM研制），2007年經(jīng)過系統(tǒng)架構(gòu)改進的第二代SoC芯片把室內(nèi)多徑環(huán)境下無線傳輸?shù)挠涗浱岣叩?Gbit/S。

2010年主持了歐盟大型聯(lián)合研究項目SUCCESS，成功開發(fā)了世界上第一顆混合信號122GHz微型毫米波SoC雷達。該雷達具有體積小、重量輕、成本低等特點，可廣泛應(yīng)用于汽車、安保、工業(yè)自動化、智能家居以及無人機防撞和自主飛行等領(lǐng)域。該項目解決了低成本毫米波系統(tǒng)大規(guī)模應(yīng)用所有的技術(shù)難題，有效推動了毫米波系統(tǒng)的普及和大面積應(yīng)用。在德期間孫博士發(fā)表了超過20篇國際論文和一部科技著作。多次受邀到國內(nèi)外大學(xué)、企業(yè)、研究機構(gòu)和學(xué)術(shù)會議做現(xiàn)場主題報告，并參與主持了多個國際學(xué)術(shù)會議。2014年回國創(chuàng)建香港微系統(tǒng)集成公司，向亞洲地區(qū)推廣SiGe BiCMOS技術(shù)，促進先進半導(dǎo)體技術(shù)向亞洲/中國地區(qū)轉(zhuǎn)移，并提供設(shè)計和技術(shù)咨詢服務(wù)。

八、組辦單位：排名不分先后

下載“報名注冊表”

聯(lián)系郵箱：n.xie@hk-microsystem.com

聯(lián)系電話：025-5277 2077；153 6508 8509