劉盛綱

電子科技大學

 
        由于THz科學技術迅速發展，對于THz輻射源的要求日益增強，從2000年以來，THz真空電子學有了很快的發展并取得了重要的成果，特別是在大功率THz輻射源方面。對于遠距離成像及非破壞高穿透波譜研究等，需要可調或寬帶瓦級以上功率輸出的THz輻射源。太赫茲與物質的非線性作用，探測物質內部由高功率太赫茲激起的非線性現象需要大功率THz輻射源．到目前為止，僅真空電子學及等離子體電子學的方法，可以產生高功率太赫茲輻射。
 
    因此，真空電子學在THz輻射源方面可能作出很重要的貢獻。但是，存在一些普遍的問題限制了真空器件（包括迥旋管、繞射輻射器件在內）的工作頻率，主要是陰極、加工等的限制。圖1中，給出了真空電子和半導體THz輻射源發展的比較。由圖可見，近幾年來真空電子在THz輻射源方面的發展是非常迅速的。
 
   返波管是目前唯一能在（0.5一1.2）THz提供頻率可調，連續波功率輸出(1000一1)mW的器件。納米速調管的研制已取得一定的進展。并可組成納米速調管陣列。預期應用頻率范圍可達0.3—3.0 THz，輸出功率大于50mW CW．
       繞射輻射器件機械調諧頻率，在（0.1－1）THz，連續波功率在0.1瓦到數十瓦。
       擴展互作用速調管在0.50TGHz，功率可達1w，預期高頻率可達1THz．
       電子廽旋脈塞(廽旋管)在0.17THz，輸出1Mw連續波。俄國正在研究1THz的迥旋管，脈沖輸出功率10KW。
       自由電子激光(FEL)產生THz輻射已成為FEL的一個重要發展方向。
       基于電子加速器的極高功率太赫茲輻射源。等離子體波尾場的Cherernkov輻射可在0.3～3THz，產生3～5uJ／pulse的輻射波；真空電子的Cherenkov尾場輻射可產生MW級THz輸出。
       儲存環型THz輻射源
       由于THz輻射的學術價值和巨大應用前景，美國及歐洲已開始用儲存環來產生THz輻射。這種裝置可產生（0.03—30）THz輻射，．其亮度可超過現有THz輻射源的9個量級。這么強的THz輻射將對科學研究和國家安全等方面起重要作用。
       真空電子THz輻射源的關鍵技術問題是：
    （1）需要進一步提高陰極的發射能力和電子光學系統，以提供高電流密度、高質量的電子束。
    （2）改善加工技術，最好采用微電子加工技術，以得到尺寸很小的精密的THz高頻系統。
      納米速調管將納米技術、微電子加工技術及電子器件技術融合在一起，是一個可望有較大貢獻的新型器件。納米速調管的工作頻率可能達到(2—3)THz。
      電子廽旋脈塞和廽旋管是一種大功率器件，已經在研制lTHz的迥旋管。進一步提高頻率都遇到強磁場的限制。
      FEL的工作頻率沒有限制，但FEL的成本高、體積大，只適于用作THz研究平臺。大力研究和發展Smith—Purcell型的FEI和簡化的臺式加速器型的FEL和是THz FEL的一個重要方向。
      Cherenkov尾場輻射(等離子體中的或真空電子的)是產生極高功率THz輻射的一個重要領域，值得加以重視。如果采用高介電常數的介質，如金剛石或SiC₄等，則可大大降低加速器的能量，從而可研制出低能量的高功率THz輻射源。
      儲存環加速器相干THz輻射，可提供極高亮度的THz輻射，有特殊的應用價值。可是目前我國僅有2臺可同步工作的輻射源。如何安排需要進一步的探討。
      真空電子學在THz輻射源上可能有很重要的貢獻。經過幾十年的努力，我國在微波毫米波段真空電子學已有很好的基礎，但是在THz波段研究工作才剛剛起步，與國外的差距很大，不能滿足要求。
 
參考文獻：
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