工程師們一般都把RF低噪聲放大器設(shè)計(jì)視為畏途。要在穩(wěn)定高增益情況下獲得低噪聲系數(shù)可能極具挑戰(zhàn)性，甚至使人畏懼。不過(guò)，采用最新的GaAs（砷化鎵）異質(zhì)結(jié)FET，可以設(shè)計(jì)出有高穩(wěn)定增益和低于1dB噪聲系數(shù)的放大器。本設(shè)計(jì)就講述了一個(gè)有0.77dB噪聲系數(shù)的低噪聲放大器。

制造商們一般會(huì)給出低噪聲放大器的輸入/輸出匹配、噪聲系數(shù)、增益、穩(wěn)定性、1dB壓縮點(diǎn)、二階和三階互調(diào)分量、帶外抑制，以及反向隔離等指標(biāo)。這些參數(shù)中，很多是互相依賴(lài)的，因此在有限的時(shí)間內(nèi)要滿足所有這些設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，工作會(huì)很復(fù)雜（參考文獻(xiàn)2和3）。圖1給出了一種靈活的放大器結(jié)構(gòu)，它能滿足所有這些設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。

圖1，可以用GaAs異質(zhì)結(jié)FET設(shè)計(jì)一款低噪聲S頻段RF放大器。

設(shè)計(jì)用Microwave的Office AWR建立并仿真。NEC的NE3509M04 GaAsHJFET（異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管）用作低噪聲高增益晶體管。電抗匹配的放大器輸入采用了數(shù)據(jù)表給出的最佳反射系數(shù)值，可提供低噪聲和高增益。FET設(shè)計(jì)常用的方法包括有源偏置與自舉，可防止漏源電流隨溫度而變化。而這種設(shè)計(jì)的結(jié)果是一種高性價(jià)比的小型自偏置電路，沒(méi)有給電路增加復(fù)雜性。晶體管的偏置點(diǎn)是2V的漏源電壓，漏極電流為15mA，此時(shí)晶體管提供約16.5dB的可接受RF增益。

電路的另一個(gè)設(shè)計(jì)目標(biāo)是低噪聲放大器的無(wú)條件穩(wěn)定性。晶體管的內(nèi)部反饋與帶外頻率上的過(guò)高增益都是這種電路不穩(wěn)定的主要原因。設(shè)計(jì)采用了制造商的S參數(shù)來(lái)分析穩(wěn)定性問(wèn)題。盡管L1、R1和C2支路保持了對(duì)HJFET的低頻dc-視頻頻率穩(wěn)定性，但它們的組合對(duì)S頻段下的工作表現(xiàn)為開(kāi)路，有助于實(shí)現(xiàn)晶體管的噪聲匹配。C5、C8、C9和L3主要實(shí)現(xiàn)了輸出的電抗匹配以及更高的頻率穩(wěn)定性。電容C6 主要用于短接漏極線路中的偏置電阻，而不會(huì)限制最大穩(wěn)定增益。偏置線路上的R3 維持了放大器的穩(wěn)定性。并聯(lián)電容C5 也將漏極的高頻分量和諧波引入大地。柵極端的接地過(guò)孔產(chǎn)生了一個(gè)小的電感，用于放大器的電感再生，從而獲得良好的噪聲匹配。

圖2，兩級(jí)放大器之間的帶通濾波器用于抑制帶外頻率。

圖2顯示了一個(gè)兩級(jí)放大器，兩級(jí)之間有一個(gè)帶通濾波器。開(kāi)發(fā)人員將設(shè)計(jì)做在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的四層62mil FR4基板上。與高性價(jià)比的雙層設(shè)計(jì)不同，這個(gè)設(shè)計(jì)采用附加層做直流走線，以及將無(wú)源天線與高增益放大器級(jí)隔離開(kāi)來(lái)，以防任何可能的信號(hào)泄漏和反饋造成放大器的不穩(wěn)定。最后的結(jié)果實(shí)現(xiàn)了在室溫下的0.77dB噪聲系數(shù)、28.5dB增益、1dB壓縮時(shí)的-16dBm輸入功率，以及-5.8dBm的三階互調(diào)點(diǎn)。輸出電壓駐波比為1.3:1。增加漏極偏置電流就可以提高三階互調(diào)水平，但代價(jià)是增加噪聲系數(shù)。

圖3，測(cè)得的放大器響應(yīng)曲線中心頻率為2.332GHz。