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利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

2013-09-05 來源:微波射頻網 字號:

LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時,保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓,以在溫度變化時保持恒定的靜態電流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。這篇應用筆記對采用DS4303實現模擬偏置方案進行了說明。

DS4303概述

DS4303 (圖1)是采樣和無限保持電壓基準,可接受模擬輸入電壓并利用一個12位數/模轉換器(DAC)在其輸出端恢復該電壓。一旦輸出端恢復了輸入電壓,芯片將輸出編碼保存至EEPROM,產生非易失模擬基準電壓。輸出電壓由內部低溫度系數的基準產生,并通過滿擺幅運放進行緩沖。

圖1. DS4303功能框圖

DS4303 LDMOS偏置電路

圖2所示電路可用于對LDMOS的柵極電壓進行溫度補償。該電路的輸出電壓等于DS4303的VOUT乘以2再加上PNP的VBE。經過兩倍壓后的DS4303電壓是具有低溫度系數的電壓源。PNP管VBE的溫度系數大約為+2mV/°C,為LDMOS提供溫度補償。假定PNP管與LDMOS具有良好的導熱通道,則該電路可以為LDMOS提供良好的溫度補償。 為對該電路進行較準,將所要求的DS4303輸出電壓接至VIN引腳,并調節信號拉低以觸發DS4303更新輸出電壓。一旦DS4303完成更新,采用電流檢測放大器測量靜態電流;并重復該過程,直到達到合適的偏置電壓。必須保持連接到DS4303的輸入穩定,以保證其輸出電壓達到正確數值。

圖2. DS4303 LDMOS

RF功放偏置電路

DS4303偏置電路與DS1870方案的比較 DS4303模擬電路解決方案的主要優勢是簡便、成本低。如果該電路靠近LDMOS放置,PNP管與LDMOS之間良好的導熱通道可以使柵極電壓隨著溫度正確變化。相對于查找表來說,該解決方案的另一優點是易于編程,因為編程針對的是單個溫度偏置點。該方案在初始化編程完成后為全模擬方式,所以一旦系統校準完畢,更新查找表不會造成輸出瞬變。

DS1870提供的方案可以實現靈活的校準過程,可針對不同應用進行定制。該芯片能夠根據溫度和漏極電壓對LDMOS柵極電壓進行偏置。可根據需要提供非線性或線性增益補償。因為DS1870具有不同增益,即使芯片與LDMOS之間沒有很好的導熱通道,也可以進行有效的溫度補償。與其它混合信號LDMOS偏置電路不同,DS1870可由工廠編程,作為獨立的偏置電路工作。通過I²C兼容的串行總線訪問芯片內部的5路ADC,監控系統的運行狀態;此外,還可以根據需要設置監控參數,產生報警信號,用來驅動處理器中斷或關閉放大器。有關DS1870的詳細資料,可從Maxim網站下載。

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