除了二極管以外，整個混頻器都使用多層LTCC電路實現的。由于各層之間的連接比較緊密，LTCC電路的穩定性和密封性是與生俱來的。該混頻器在設計時就考慮到商用、軍用領域可能的溫度、濕度、振動和機械沖擊等情況。

新型的SIM系列混頻器占用的PCB板面積很小，便于焊接和連接。傳統的直插式混頻器需要在PCB板上打孔，并且還需要螺絲緊固，非常費力。而新型的SIM系列混頻器和早期非常成功的MCA1系列相比，其體積縮小了一半。隨著單片集成混頻器的發展，混頻組件逐漸以陶瓷和塑料封裝的形式出現。

SIM-153+系列混頻器的指標如表1所示，其標稱本振功率為+7dBm，但是其本振的功率范圍很大，靈活性較好。為了驗證其抵抗本振變化的能力，在3組不同本振激勵下進行測試。當本證功率大于+7dBm，中頻頻率為4.5GHz時，變頻損耗小于10.5dB。當本振固定在8GHz時，本振幅度的變化對變頻損耗有一定的影響，但是，當射頻頻率在15GHz 且本振電平為 +4、+7和+10dBm時，即使在環境溫度變化很大時(-55 to +100°C)，該混頻器的變頻損耗波動僅為±0.5dB。需要指出的是，這些大溫度變化的測試，都是故意為了發現其性能缺陷而設計的，該器件的標稱工作溫度為-40 to +85°C。

當固定中頻，改變本振電平進行測試時發現：SIM-153+混頻器在9GHz以下，變頻損耗典型值為6dB，在15GHz以下變頻損耗典型值為9dB。由于該混頻器的中頻范圍非常大(DC～4.5GHz)，該混頻器非常適合多級混頻的系統，可以在第一級采用高中頻。該混頻器具有足夠的靈活性，可以把15GHz的微波信號轉換到標準的中頻(如70MHz)，當然也可以把這樣的中頻信號轉換到微波頻段。

端口間的隔離度也是混頻器的一項重要參數，在不同的本振電平下測試了該混頻器的本振到射頻端口的隔離度，在3.4 到 5.0GHz范圍內隔離度為40dB，其他頻段的隔離度從28 到43dB。對于衛星通訊的3.7到4.2-GHz頻段之間的隔離度高達40dB。這樣高的隔離度對單邊帶系統或I/Q調制器/解調器的應用非常有利。對于這種需要匹配度很好的混頻器的場合，高隔離度就意味著良好的載波抑制。

LTCC技術不但能保證產品的一致性，還能抵抗頻率變化帶來的性能漂移。當考驗本振到射頻端口的隔離度的時候，發現，本振頻率從3.5掃描到15.0GHz的時候(溫度范圍為-55到100°C)，隔離度的變化小于±2dB。

較高的本振到中頻端口的隔離度，有助于防止本振信號泄漏到中頻頻率。如果隔離不好，則會增加后級濾波處理的成本。當本振頻率從3.5掃描到15.0GHz，電平分別為+4、+7和+10dBm時，SIM-153+混頻器在8GHz附近的隔離度曾一度低至13dB，但是在9GHz以后，隔離度一直保持在19dB以上(三種本振電平下都是如此)。另外在三種不同的溫度下測試，隔離度的變化范圍小于±1dB。