與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
LDMOS能經受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運行而沒有破壞LDMOS設備;它較能承受輸入信號的過激勵和適合發射數字信號，因為它有高級的瞬時峰值功率。LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波數字信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調電平到飽和區，不像雙極型晶體管那樣互調電平高且隨著功率電平的增加而變化。這種主要特性允許LDMOS晶體管執行高于雙極型晶體管二倍的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數是負數，因此可以防止熱耗散的影響。這種溫度穩定性允許幅值變化只有0.1dB,而在有相同的輸入電平的情況下，雙極型晶體管幅值變化從0.5~0.6dB,且通常需要溫度補償電路。
LDMOS的制造工藝
LDMOS制造工藝結合了BPT和砷化鎵工藝。與標準MOS工藝不同的是，在器件封裝上，LDMOS沒有采用BeO氧化鈹隔離層，而是直接硬接在襯底上，導熱性能得到改善，提高了器件的耐高溫性，大大延長了器件壽命。由于LDMOS管的負溫效應，其漏電流在受熱時自動均流，而不會象雙極型管的正溫度效應在收集極電流局部形成熱點，從而管子不易損壞。所以LDMOS管大大加強了負載失配和過激勵的承受能力。同樣由于LDMOS管的自動均流作用，其輸入-輸出特性曲線在1dB 壓縮點(大信號運用的飽和區段)下彎較緩，所以動態范圍變寬，有利于模擬和數字電視射頻信號放大。LDMOS在小信號放大時近似線性，幾乎沒有交調失真，很大程度簡化了校正電路。MOS器件的直流柵極電流幾乎為零，偏置電路簡單，無需復雜的帶正溫度補償的有源低阻抗偏置電路。
對LDMOS而言，外延層的厚度、摻雜濃度、漂移區的長度是其最重要的特性參數。我們可以通過增加漂移區的長度以提高擊穿電壓，但是這會增加芯片面積和導通電阻。高壓DMOS器件耐壓和導通電阻取決于外延層的濃度、厚度及漂移區長度的折中選擇。因為耐壓和導通阻抗對于外延層的濃度和厚度的要求是矛盾的。高的擊穿電壓要求厚的輕摻雜外延層和長的漂移區，而低的導通電阻則要求薄的重摻雜外延層和短的漂移區，因此必須選擇最佳外延參數和漂移區長度，以便在滿足一定的源漏擊穿電壓的前提下，得到最小的導通電阻。
LDMOS的優勢
卓越的效率，可降低功率消耗與冷卻成本
卓越的線性度，可將信號預校正需求降到最低
優化超低熱阻抗，可縮減放大器尺寸與冷卻需求并改善可靠度
卓越的尖峰功率能力，可帶來最少數據錯誤率的高 3G 數據率
高功率密度，使用較少的晶體管封裝
超低感抗、回授電容與串流閘阻抗，目前可讓 LDMOS 晶體管在雙載子器件上提供 7 bB 的增益改善
直接源極接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔離物質的需求
在 GHz 頻率下擁有高功率增益，帶來更少設計步驟、更簡易更具成本效益的設計 (采用低成本、低功率驅動晶體管)
LDMOS能經受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運行而沒有破壞LDMOS設備;它較能承受輸入信號的過激勵和適合發射數字信號，因為它有高級的瞬時峰值功率。LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波數字信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調電平到飽和區，不像雙極型晶體管那樣互調電平高且隨著功率電平的增加而變化。這種主要特性允許LDMOS晶體管執行高于雙極型晶體管二倍的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數是負數，因此可以防止熱耗散的影響。這種溫度穩定性允許幅值變化只有0.1dB,而在有相同的輸入電平的情況下，雙極型晶體管幅值變化從0.5~0.6dB,且通常需要溫度補償電路。
LDMOS的制造工藝
LDMOS制造工藝結合了BPT和砷化鎵工藝。與標準MOS工藝不同的是，在器件封裝上，LDMOS沒有采用BeO氧化鈹隔離層，而是直接硬接在襯底上，導熱性能得到改善，提高了器件的耐高溫性，大大延長了器件壽命。由于LDMOS管的負溫效應，其漏電流在受熱時自動均流，而不會象雙極型管的正溫度效應在收集極電流局部形成熱點，從而管子不易損壞。所以LDMOS管大大加強了負載失配和過激勵的承受能力。同樣由于LDMOS管的自動均流作用，其輸入-輸出特性曲線在1dB 壓縮點(大信號運用的飽和區段)下彎較緩，所以動態范圍變寬，有利于模擬和數字電視射頻信號放大。LDMOS在小信號放大時近似線性，幾乎沒有交調失真，很大程度簡化了校正電路。MOS器件的直流柵極電流幾乎為零，偏置電路簡單，無需復雜的帶正溫度補償的有源低阻抗偏置電路。
對LDMOS而言，外延層的厚度、摻雜濃度、漂移區的長度是其最重要的特性參數。我們可以通過增加漂移區的長度以提高擊穿電壓，但是這會增加芯片面積和導通電阻。高壓DMOS器件耐壓和導通電阻取決于外延層的濃度、厚度及漂移區長度的折中選擇。因為耐壓和導通阻抗對于外延層的濃度和厚度的要求是矛盾的。高的擊穿電壓要求厚的輕摻雜外延層和長的漂移區，而低的導通電阻則要求薄的重摻雜外延層和短的漂移區，因此必須選擇最佳外延參數和漂移區長度，以便在滿足一定的源漏擊穿電壓的前提下，得到最小的導通電阻。
LDMOS的優勢
卓越的效率，可降低功率消耗與冷卻成本
卓越的線性度，可將信號預校正需求降到最低
優化超低熱阻抗，可縮減放大器尺寸與冷卻需求并改善可靠度
卓越的尖峰功率能力，可帶來最少數據錯誤率的高 3G 數據率
高功率密度，使用較少的晶體管封裝
超低感抗、回授電容與串流閘阻抗，目前可讓 LDMOS 晶體管在雙載子器件上提供 7 bB 的增益改善
直接源極接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔離物質的需求
在 GHz 頻率下擁有高功率增益，帶來更少設計步驟、更簡易更具成本效益的設計 (采用低成本、低功率驅動晶體管)
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