一、屏蔽材料選擇  

用導電體或導磁體做成外殼，將干擾源或信號電路罩起來，使電磁場的耦合受到很大的衰減，這種抑制干擾的方法叫電磁屏蔽。

1.當干擾電磁波的頻率較低時，要采用高磁導率的材料，從而使磁力線限制在屏蔽體內部，防治擴散到屏蔽的空間去，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。

2.當干擾電磁場的頻率較高時，利用高導電性金屬材料中長生的渦流，形成對外來電磁波的抵消作用，從而達到屏蔽的效果。由于高頻趨膚效應，渦流僅在屏蔽盒表面薄層流通，因此，屏蔽體的厚度不必過大，而以趨膚深度和結構強度為主要考慮因素。

3.在某些場合下，如果要求對高頻和低頻電磁場都具有良好的屏蔽效果時，往往采用高磁導率材料表面涂覆高導電性材料組成多層屏蔽體。

二、屏蔽用金屬材料

從上述原則我們知道，低頻情況應采用高磁導率金屬屏蔽材料，高頻情況應采用高電導率金屬屏蔽材料。常用的金屬板屏蔽材料有：鍍鋅鋼板、低碳鋼板、鍍銅鋼板和銅板等。表一給出了幾種常用金屬的相對電導率和相對磁導率。

表一 各種金屬屏蔽材料的性能
金屬 相對電導率 相對磁導率（f<10KHz） 金屬 相對電導率 相對磁導率（f<10KHz）
銀 1.064 1 玻莫合金 0.108 8000
銅 1.00 1 純鐵 0.17 5000
金 0.70 1 硅鋼 0.0384 1500
鉻 0.664 1 冷軋鋼 0.17 180
鋁 0.63 1 不銹鋼 0.02 200
鋅 0.305 1 鎳鉻硅鐵磁合金 0.019 1000
黃銅 0.26 1 鐵鎳合金 0.172 300
鎘 0.23 1      
鎳 0.20 1      
磷青銅 0.18 1     
錫 0.151 1     
鉛 0.079 1     

三、屏蔽效能
屏蔽效能包括吸收損耗A，反射損耗R和多次反射損耗B。
在低頻情況下，反射損耗大于吸收損耗，它是屏蔽效能中的主要因素。隨著頻率的增加，反射損耗逐漸下降。
在屏蔽層較厚或頻率較高時，屏蔽體吸收損耗較大。
在屏蔽體吸收損耗較大（A>15dB）時，多次反射損耗可以忽略。

1.吸收損耗
屏蔽體板越厚，吸收損耗越大，屏蔽體材料的相對磁導率和相對電導率越高，吸收損耗就越大。表二給出了幾種常用屏蔽金屬材料的相對電導率和相對磁導率以及屏蔽體厚度與吸收損耗的關系。

從表上可以看出，對于吸收損耗，當f>1MHz時，用0.5mm厚的任何金屬板制成的屏蔽體，都可以將場強減弱到100倍以下。因此，在選擇材料時，應著重考慮材料的機械強度、剛度和防腐因素，對于低頻屏蔽，應采用磁導率大的材料，如玻莫合金等。

表二
金屬 相對電導率 相對磁導率 頻率（Hz） 屏蔽體厚度(mm)
8.68dB 20dB 40dB
銅 1 1 100 6.7 15.4 30.8
1 1 10K 0.67 1.54 3.08
1 1 1M 0.067 0.154 0.308
1 1 100M 0.0067 0.0154 0.0308
鋁 0.63 1 100 8.35 19.24 38.48
0.63 1 10K 0.835 1.924 3.848
0.63 1 1M 0.0835 0.1924 0.3848
0.63 1 100M 0.00835 0.01924 0.03848
鋼 0.17 180 100 1.2 2.76 5.52
0.17 180 10K 0.12 0.276 0.552
0.17 180 1M 0.012 0.0276 0.0552
0.17 180 100M 0.0012 0.00276 0.00552
玻莫合金 0.108 8000 100 0.23 0.52 1.04
0.108 8000 10K 0.023 0.052 0.104
0.108 8000 1M 0.0023 0.0052 0.0104
0.108 8000 100M 0.00023 0.00052 0.00104

2.反射損耗
反射損耗不僅與材料自身的特性有關，還與金屬板所處的位置有關，所以計算反射損耗時需根據干擾源的類型和干擾干擾源與屏蔽體之間的距離來具體計算。

四、綜述
綜上所述，對于我們TD-SCDMA射頻發射模塊來說，工作頻段為2GHz以上，屏蔽體主要以吸收損耗為主，所以高導電性材料為首選，如金、銀、銅等，若考慮到外部較復雜的電磁環境，還需要低頻屏蔽的話，則考慮高磁導率的玻莫合金等，外層鍍以金、銀等材料。
當然，成本也應并入考慮事項。