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常用RF元器件—電容

2014-09-18 來源:收集整理 字號:

電容是電子設備中最常用也是最重要的元器件之一,在幾乎所有的電子產品中都能見到它的身影。但它又常常被人們所忽視,在很多人心中,它不過是兩個導體外加中間隔離電解質的一個元器件而已。他的用途非常多,主要有:1)隔直通交; 2)去耦電容; 3)耦合電容; 4)濾波; 5)調諧; 6)計時; 7)儲能; 8)用于匹配電路等等……本次要討論的是在RF鏈路上的電容。

     

圖1.射頻放大器的典型設計電路

先將上圖中的電容先分類,可以看出其中C1,C5是RF耦合電容,是我們主要討論的部分;C2,C3,C4,C6,C7是匹配電容,它能讓放大器很好地工作在某一特定的頻段;C8是電源去耦電容。

針對C1、C5而言,它主要有2個功能:

其一:隔離外部的直流部分。因為大部分的RF混頻器、衰減器等器件都會由于過高的直流輸入電平、過高的功率或ESD而損壞,而電容的出現能夠幫助消除直流的影響;

其二:頻率選擇功能。有時候我們期望放大器僅僅放大wifi頻段的信號,而不用理會FM, GSM等低頻信號,這時候選擇容值比較小的電容就能起到高通濾波器作用。

在實際選擇RF耦合電容時需要注意哪些參數呢?

1.電容容值。它決定了電路的工作頻段,一般放大器等器件會有典型的參考設計,對于某幾個頻點,手冊會給出參考值。

圖2.元器件手冊給出的設計參考值

從上表可以看出,器件使用的頻段越低,所需要的容值就越大;反之,頻段越高所需的容值就越小。這與電容在電源去耦時的選擇方法是一致的。當頻段低至幾百KHz時,所需的容值大約在uF級別。

2.Q值。它是衡量電容插損的重要指標,Q值越高,射頻功率損耗越小。Q=1/[(2πfC)*ESR]。Q值與電容的材料有關,ESR越低,Q值越高。在設計濾波器時,使用高Q值的電容能使濾波器的帶寬做得比較窄,如DLI或ATC公司的電容,他們能做到很高的Q值。

3.等效串聯電阻及等效串聯電感。理想的電容只有容性,但實際的電容模型是由幾部分串聯組成的:電容、等效串聯電阻、等效串聯電感。其等效的阻抗為Z=R+j(ωL-1/ωC)

圖3電容的等效模型

它們的出現使得電容會有自諧振頻率,定義為:f0=1/(2π*),當工作頻率小于f0時,電容呈現出容性阻抗;當頻率等于f0時,呈現出純阻性Z=Resr;當頻率大于f0時它即呈現出感性。

 

圖4電容阻抗隨頻率的變化

4.耐壓。它是必須考慮的因素之一,一般耐壓越高,體積也就越大,目前RF設備內的耦合電容尺寸以0402,0603,0805等典型貼片封裝為主。

5.溫度系數與容差。他們是反映電容容值準確性的參數,選擇時根據實際需要而定。

6.焊接方式。水平或垂直。在沒有深入研究電容之前,我從未考慮過電容的不同焊接方式會導致它插損和諧振的變化。請看下面的列子:

圖5水平焊接VS垂直焊接

可以看到,當水平焊接時該電容在1.2G左右產生了一個自諧振點,而當改用垂直焊接時,該諧振點提高到了2.3G附近,使得無諧振的頻帶得到了展寬。這一點對需要做寬帶系統的設備而言是很重要的。往往SRF(Self Resonant Frequency)比較高的電容都價格不菲,利用電容的這一特性可以幫助節約成本。

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