Ansys與三星的深入合作將加速AI、高性能計(jì)算和5G半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的2.5D/3D-IC驗(yàn)證

Ansys® RaptorH™電磁（EM）仿真解決方案已通過(guò)三星Foundry的認(rèn)證，該解決方案用于研發(fā)高級(jí)片上系統(tǒng)（SoC）和2.5維/三維集成電路（2.5D/3D-IC）。此次認(rèn)證使得Ansys（NASDAQ: ANSS）能夠幫助三星設(shè)計(jì)人員及三星Foundry客戶在采用三星新的簽核流程時(shí)更準(zhǔn)確地分析并降低電磁效應(yīng)帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)，從而大幅加速先進(jìn)人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）以及5G半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的發(fā)展。

三星的一系列高級(jí)納米硅和2.5D/3D-IC技術(shù)需要一種驗(yàn)證電磁干擾的簽核方法，避免其影響到復(fù)雜的多芯片裝配體，而傳統(tǒng)工具在設(shè)計(jì)上難以滿足這一要求。工程師需要高容量電磁分析工具來(lái)準(zhǔn)確建模超大型SoC和2.5D/3D裝配體的信號(hào)完整性，這些裝配體能以極高的數(shù)據(jù)速率處理信號(hào)。2.5D/3D-IC中信號(hào)之間難以量化的相互作用是關(guān)鍵故障點(diǎn)，限制了新技術(shù)的推廣。

將Ansys® HFSS™的高保真度高頻電磁求解器與Ansys® RaptorX™的高速魯棒性架構(gòu)結(jié)合之后，RaptorH高度集成的分析解決方案有助于三星設(shè)計(jì)師對(duì)電磁現(xiàn)象建模，提高其2.5D/3D芯片裝配體中的頻率，同時(shí)確保寄生效應(yīng)不會(huì)影響系統(tǒng)。這將推動(dòng)這些新型封裝技術(shù)更快地進(jìn)入主流生產(chǎn)，并大幅降低風(fēng)險(xiǎn)。

三星電子Foundry設(shè)計(jì)平臺(tái)開發(fā)執(zhí)行副總裁Jaehong Park博士表示：“不斷提高的數(shù)據(jù)速率，更高水平的電子系統(tǒng)集成和封裝密度，將在前所未有的規(guī)模上對(duì)新型電磁分析功能提出更高要求。利用Ansys RaptorH，我們杰出的工程團(tuán)隊(duì)能夠克服煩人的電磁效應(yīng)，從而縮短設(shè)計(jì)周期，降低預(yù)算并提高性能。”

Ansys工程副總裁Yorgos Koutsoyannopoulos指出： “通過(guò)繼續(xù)加深與三星的合作，RaptorH能夠提供優(yōu)化的簽核流程以消除電磁干擾帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)，并直接支持三星開發(fā)尖端AI、HPC和5G半導(dǎo)體設(shè)計(jì)。RaptorH將幫助三星設(shè)計(jì)人員和Foundry客戶縮小芯片尺寸、減少功率需求、降低成本并加速其產(chǎn)品上市進(jìn)程。此外，該解決方案還證明Ansys不僅能夠?qū)elic等新收購(gòu)的技術(shù)快速集成到自己的產(chǎn)品組合中，同時(shí)還能加速實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，并為全球客戶提供急需的解決方案。”