聯華電子（UMC）與IBM近期共同宣布，聯華電子將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10nm CMOS工藝技術。

IBM半導體研發副總Gary Patton表示，“IBM聯盟成立至今已逾十年，聯盟伙伴可整合運用我們的專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯華電子的加入，將使聯盟的實力更加強大。”

聯華電子執行長顏博文表示，“IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯華電子十分高興與IBM在先進基礎方面攜手合作，貢獻我們多年來開發高競爭力制造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯華電子肩負著適時推出前沿工藝，以實現客戶次世代芯片設計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業來縮短我們10nm與FinFET 的研發周期，為聯華電子與我們的客戶締造雙贏。”

聯華電子與IBM兩家公司此次的協議，拓展了雙方于2012年簽訂的14nm FinFET合作協議。擁有IBM的支持與know-how，聯華電子將可持續提升其內部自行研發的14nmFinFET技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計劃開發10nm制程基礎技術，以滿足聯華電子客戶的需求。聯華電子將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼的10nm研發計劃，而聯華電子14nmFinFET與10nm未來的制造，則將在聯華電子位于臺灣南科的研發中心進行。