恩智浦半導體公司獲英國政府投資，在該公司位于英格蘭曼切斯特附近的黑澤爾格羅夫晶片廠開發氮化鎵功率半導體技術。

英國政府將提供200萬英鎊（約300萬美元），支持恩智浦半導體公司的750萬英鎊（約1150萬美元）投資。1450萬美元的總投資將確保已有的至少400個制造崗位，并將創造100個新崗位。

恩智浦公司表示，該投資將用于招募額外的研發人員，開展原型制造，研制供氮化鎵功率半導體開發階段所需的裝備。

恩智浦半導體公司正努力將采用硅上氮化鎵工藝技術的650V二極管和開關技術商業化。該公司已經開始發布一系列氮化鎵分立器件的計劃，相關器件在黑澤爾格羅夫的功率場效應管晶片廠制造。其產品定位于如功率因數校正電源、太陽能、馬達控制及汽車電子等以需要高能量轉換效率的應用領域。

黑澤爾格羅夫生產晶體管已超過25年，且大多數時間是在制造金屬氧化物場效應功率晶體管，當前采用的是6英寸（168.3mm）直徑晶片。氮化鎵比硅效率高，正成為光電、功率半導體和射頻應用的可選材料。然而，氮化鎵難以同已經商業化的硅功率晶體管競爭。近期，硅上氮化鎵實現了成本突破，降低了功率應用的每晶片成本，允許在現有硅晶片廠部署工藝，并將晶片尺寸從6英寸按比例增大至8英寸（203.2mm）。

（工業和信息化部電子科學技術情報研究所  王巍）