RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術至RFMD的晶圓代工服務內容，并開始為Foundry Services事業部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術。

RFMD將提供針對高功率、低噪聲和 RF 切換產品而優化的三種不同 GaAs pHEMT 技術。RFMD的0.3微米 pHEMT 技術可提供高功率，并針對 X-band 相位式數組功率放大器(PA)和8-16 GHz的寬帶軍事電子戰干擾器而優化。

RFMD的0.25微米 pHEMT 技術可提供低噪聲、中功率、高線性度，鎖定之應用包括低噪聲前端和發射器 MMIC 。0.6微米 pHEMT 技術則提供低噪聲和射頻訊號高線性切換，是專為無線前端和發射/接收模塊應用而設計。

RFMD目前提供Foundry Services的客戶北卡羅來納州格林斯博羅晶圓廠的兩項 RFMD的氮化鎵(GaN) 制程技術，分別為鎖定高功率應用的 GaN1 與鎖定高線性度應用的 GaN2 。RFMD并提供一個整合式被動組件(IPC)技術優化來配合高功率應用。RFMD的先進 GaAs pHEMT 技術與其氮化鎵技術，和其他電源半導體技術互補，以設計多芯片模塊(MCM)。

RFMD Foundry Services事業部的成立，旨在為外部晶圓代工客戶提供實時的高可靠性、高性能和具價格競爭力的制程制程技術。所有的制程技術都是由RFMD位于英國的Newton Aycliffe 廠制造，讓RFMD Foundry Services 客戶可透過簡易的歐洲進/出口管制，取得歐洲技術的方式。
 
關于 RFMD
 
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代碼：RFMD）堪稱在高性能半導體元件的設計與制造方面的全球領先廠商之一。 RFMD 的產品可實現全球移動性，提供更高的連接能力，以及支持蜂窩手機、無線基礎設備、無線局域網 (WLAN)、有線電視網絡、航空及國防市場中的高級功能。 RFMD 因其多樣化的半導體技術以及RF 系統專業技能而得到業界的認可，并且是受全球領先移動終端及通訊設備制造商所青睞的供應商。
 
RFMD 總部位于北卡羅來納、格林斯博羅，是一家在全球擁有工程、設計、銷售及服務機構的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 認證的制造商。RFMD 在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼為 RFMD。有關更多信息，請訪問 RFMD 網站：www.rfmd.com。