美國軍事研究人員正在要求位于加利福尼亞州馬里布的HRL實驗室的集成電路專家改進用于航空航天和國防應用的射頻和微波電路。

位于弗吉尼亞州阿靈頓的美國國防高級研究計劃局（DARPA）官員周二宣布，對HRL進行一項840萬美元的合同修改，以用于毫米波GaN成熟（MGM）計劃的第二階段。

該計劃旨在改善射頻和微波半導體技術，以提高器件產(chǎn)量，減少工藝周期時間，并在多項目晶圓加工（MPW）中展示關鍵的毫米波功率放大器和混合信號電路。

米高梅公司正在利用標準評估電路（SEC），制程控制監(jiān)視器（PCM）和短循環(huán)制造技術來確定戰(zhàn)略上的產(chǎn)量和可重復性，以識別制程步驟的改進。

在該項目的第一階段，HRL專家開始使他們的RF和毫米波氮化鎵（GaN）半導體技術成熟，這在十年前的DARPA Nitride Electronics NeXt生成技術（NEXT）計劃中得到了證明。

該項目第二階段的目標是減少制造周期，提高RF產(chǎn)量和可靠性，改善器件模型和工藝設計套件以及提高GaN毫米波電路的制造準備水平（MRL）。

HRL專家將通過有針對性的工藝步驟改進來使這種GaN技術成熟。他們將使用制程控制監(jiān)視器；進行多個MPW運行；并改善該公司位于加州馬里布的工廠的單片微波集成電路（MMIC）設計能力。

作為DARPA NEXT計劃的執(zhí)行者，HRL開發(fā)了最先進的GaN晶體管，其柵長為40納米，標定ft/ fmax為200/400 GHz。

NEXT計劃尋求開發(fā)一種革命性的氮化物晶體管技術，該技術在至少1,000個晶體管的大規(guī)模電路集成中，具有大于5 THz的Johnson Johnson Merit（JFoM）極高速度和高電壓擺幅。

該項目尋求開發(fā)可制造，高產(chǎn)量，高均勻性和高度可靠的制造工藝。該計劃的重點是展示將這些器件組合成一個由約10個晶體管組成的小型邏輯電路，然后再處理多達1,000個晶體管的能力。

在MGM項目的第一階段，HRL更新了設計套件以支持多種計算機輔助設計（CAD）工具，支持多項目搖床運行，并減少了總體制造周期，以支持美國軍方用戶。

這項合同修改使MGM合同的總價值達到了1,880萬美元。HRL專家將在加利福尼亞州馬里布市進行這項工作，并應在2022年9月之前完成。

來源：半導體行業(yè)觀察 內(nèi)容編譯自「militaryaerospace」，謝謝。