近日，中國科學院微電子研究所科研成果——銦鎵砷（InGaAs）MOSFET射頻開關芯片被國際半導體雜志Semiconductor Today 進行了專題報道。

高遷移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基礎上引入高K介質金屬柵技術發展起來的新一代半導體器件，被國際學術界和半導體產業界認為是延展摩爾定律至5納米節點的主要技術選擇。微電子所高頻高壓器件與集成研發中心研究員劉洪剛課題組長期致力于InGaAs MOSFET器件及其應用研究，在國家科技重大專項、“973”計劃、國家自然科學基金等多項國家級課題的支持下，先后在量子阱溝道設計、高K介質與界面態控制、關鍵工藝與硅基異質集成、器件模型與電路模擬等方面取得重要進展，相關成果已成功應用于面向4G/5G移動通信的射頻開關芯片的研究。課題組研制的InGaAs MOSFET射頻開關芯片，在移動通信頻段表現出優越的射頻開關特性，在0.1-3GHz無線通信頻段內插入損耗為0.27-0.49dB，隔離度達到35-68dB，比傳統InGaAs HEMT射頻開關具有更高的射頻輸出功率和功率附加效率。該特性使InGaAs MOSFET技術在5G智能手機與高速WiFi中具有廣闊的應用前景。

射頻開關器件和平面圖與單管剖面圖