55nm LPx射頻平臺集成SST的高度可靠的嵌入式SuperFlash®，
提供低功耗和成本用于物聯(lián)網(wǎng)和“互聯(lián)的”健康與保健設(shè)備

GLOBALFOUNDRIES®（格羅方德）和安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，近日宣布推出的系統(tǒng)單芯片（SoC）系列，基于GF的55 nm低功率擴展的（55LPx）、射頻(RF)工藝技術(shù)平臺。安森美半導體的新的RSL10產(chǎn)品基于多協(xié)議藍牙5認證的無線電SoC，能夠支持物聯(lián)網(wǎng)和“互聯(lián)的”健康與保健市場中先進的無線功能。

安森美半導體醫(yī)療及無線產(chǎn)品分部副總裁Robert Tong說：“藍牙低功耗技術(shù)作為連接物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的關(guān)鍵驅(qū)動力持續(xù)發(fā)展，尤其針對具備低功耗需求的設(shè)備。GF的55LPx平臺憑借其低功耗邏輯和高度可靠的嵌入式SuperFlash® 內(nèi)存，結(jié)合經(jīng)證實的射頻IP，是理想的匹配。RSL10系列提供在深度睡眠模式和峰值接收模式下業(yè)界最低的功耗，實現(xiàn)超長的電池使用壽命，并支持線上更新固件等功能。安森美半導體的新的RSL10 SoC使用這些先進的功能以解決廣泛的應(yīng)用，包括可穿戴和智能鎖及電器等物聯(lián)網(wǎng)邊緣節(jié)點設(shè)備。”

GF嵌入式內(nèi)存副總裁David Eggleston說：“GF的55LPx平臺，結(jié)合安森美半導體的設(shè)計，提供可穿戴SoC技術(shù)到55 nm，及業(yè)界領(lǐng)先的能效。這再次證實55LPx正成為SoC設(shè)計人員尋求高性價比、低功耗和在極端環(huán)境中卓越的可靠性的首選。”

GF的55 nm LPx RF平臺提供快速開發(fā)產(chǎn)品的途徑，包括經(jīng)認證的硅射頻IP和硅存儲技術(shù)（SST）的高度可靠的嵌入式SuperFlash® 內(nèi)存，具有：

GF的55LPx eFlash平臺自2015年在新加坡代工廠的300 mm線量產(chǎn)。55LPx eFlash平臺是一個具性價比的方案用于范圍廣泛的產(chǎn)品，從可穿戴設(shè)備到汽車MCU。

客戶可通過GF的流程設(shè)計套件開始優(yōu)化他們的芯片設(shè)計，使設(shè)計人員能夠開發(fā)要求具性價比的、低功耗、和在極端環(huán)境下極高可靠性的差異化的eFlash方案。