EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET），
對比前一代的產品，這些晶體管的尺寸減半，而且性能顯著提升。

全球增強型氮化鎵晶體管領袖廠商、致力于開發創新的硅基功率場效應晶體管（eGaN FET）及集成電路的宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出全新的EPC2045（7 m?、100 V）及EPC2047（10 m?、200 V）晶體管，在提升產品性能之同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用于開放式伺服器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點（POL）轉換器、USB-C及激光雷達（LiDAR）等應用。200 V 的EPC2047的應用例子包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

100 V、7 m?的EPC2045在性能/成本上繼續擴大與等效硅基功率MOSFET的績效差距。與前一代EPC2001C eGaN FET相比，EPC2045的芯片尺寸減半。而200 V、10 m?的EPC2047eGaN FET的尺寸也是減半，如果與等效硅基MOSFET相比，它的尺寸減小達15倍。

設計師現在可以同時實現更小型化和性能更高的器件！eGaN產品采用芯片級封裝，比MOSFET使用塑膠封裝可以更有效地散熱，這是由于使用芯片級封裝的器件可以直接把熱量傳遞至環境，而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內。

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow稱：「我們非常高興利用創新的氮化鎵技術，開發出這些正在改變半導體行業發展的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）?！笰lex繼續說道:「面向目前采用MOSFET技術的各種應用，這些全新eGaN產品展示出EPC及其氮化鎵晶體管技術如何提升產品的性能之同時能夠降價。此外，我們將繼續發展氮化鎵技術以推動全新硅基器件所不能夠支持的最終用戶應用的出現。這些全新晶體管也印證了氮化鎵與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴大。」 

此外，我們也為工程師提供3塊開發板以幫助工程師易于對EPC2045及EPC2047的性能進行評估，包括內含100 V的EPC2045晶體管的開發板（EPC9078及EPC9080）和內含200 V的EPC2047的開發板（EPC9081）。

eGaN產品的發展進入“良性循環”（virtuous cycle）的軌度

氮化鎵工藝所具備的優勢是氮化鎵器件比等效硅基器件具備低很多的電容，因此可以在更高頻、相同的阻抗及額定電壓下，實現更低的柵極驅動損耗及更低的開關損耗。與最好的等效MOSFET相比，EPC2045工作在48 V–5 V電源轉換、500 kHz開關頻率時，功耗降低30%及效率提升2.5%。

與硅基MOSFET相反的是，eGaN FET雖然小型很多，但它的開關性能更高，代表eGaN產品的前景是該技術進入“良性循環”的軌度，預期氮化鎵器件將會繼續小型化而其性能可以更高。

我們看到這些全新產品在性能、尺寸及成本上的改進是由于利用了創新的方法，當擊穿時在漏極區域減弱電場并且同時大大減少陷阱，使之所俘獲的電子減少。

價格及供貨

EPC2045（100 V、7m?）晶體管在批量為1,000片時的單價為2.66美元。EPC2047（200 V、10 m?）批量為1,000片時的單價為4.63美元。每塊開發板的單價為118.25美元。各晶體管及開發板都可以立即從Digikey公司購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括 直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。