毫米波(30-300GHz)具有波長短,體積小、超寬帶、通信速率高等特性,在5G移動通信、安檢成像、汽車雷達,機場跑道異物檢測、氣象雷達、輻射計、天文探測等領域備受關注。Gotmic采用GaAs pHEMT工藝線,相對于CMOS等工藝,GaAs具有工藝成熟、輸出功率高、噪聲系數低等優勢。
1、V Band超短距離通信
60GHz處于大氣衰減的峰值,不利于傳輸,這是一把雙刃劍,同時帶來保密性強、對周邊干擾小、可實現短距離重復覆蓋等優勢。
圖1:V波段超短距離通信
gTSC0020,多功能Tx發射芯片,內部集成了IQ混頻器、6倍頻器、衰減器、驅動放大器和功率檢測功能。頻率覆蓋52-72GHz,IF范圍DC-12GHz,鏡像抑制25dB,增益22dB,動態范圍大于25dB,P1dB高達+20dB。
gRSC0016,多功能Rx接收芯片,內部集成了IQ混頻器,6倍頻器,衰減器和低噪聲放大器。頻率覆蓋52-72GHz,IF范圍DC-12GHz,噪聲系數低至4dB。
gAPZ0038,中等功率放大器,頻率52-72GHz,增益22dB,Psat=+22dBm。gAPZ0039,功率放大器,頻率52-72GHz,增益19dB,飽和輸出+25dBm。
gANZ0031,高增益、高線性度、低駐波的低噪聲放大器,NF=3.5dB。
2、E Band毫米波通信
圖2:E波段通信方案
gTSC0023,多功能Tx發射芯片,集成混頻器、6倍頻、衰減器、驅動放大器和功率檢測功能。頻率71-86GHz,IF范圍:DC-12GHz,增益14dB,動態范圍20dB,鏡像抑制25dB,輸出功率大于+12dBm。
gRSC0012 和GRSC0013,多功能Rx接收芯片,集成低噪聲放大器、混頻器和6倍頻器等。頻率分別覆蓋71-76GHz、81-86GHz,IF范圍DC-12GHz噪聲系數小于6dB。
gAPZ0041,E1波段功率放大器,增益25dB,飽和輸出+27dBm;gAPZ0051,采用預失真技術的E1波段功率放大器,增益20dB,飽和輸出+28dBm
gAPZ0042,E2波段功率放大器,增益20dB,飽和輸出+25dBm以上。
gAPZ0052,采用預失真技術的E2波段功率放大器,增益20dB,飽和輸出+28dBm
3、采用預失真技術的功率放大器
功率放大器一直是毫米波通信的難題。Gotmic依托跟瑞典查爾姆斯大學的緊密合作,研發了具有預失真功能的E波段功率放大器芯片,GAPZ0051和GAPZ0052。該功放采用平衡式結構,具有高線性度、高效率、高功率、低駐波、平坦度好等特性。
在放大器前端加入產生預失真的電路,與后級功放產生的非線性失真互相抵消,從而降低放大器整體的失真,提高線性度。
圖3:模擬預失真功放示意圖
圖4:E Radio系統測試模板要求(來自ETSI EN 302 217-2-2 V2.2.1)
從實際測試數據可以看到,在相同輸出功率的情況下,采用預失真技術可以顯著提高線性度,改善系統性能,或者說在同等線性度的情況下,可以提高系統的發射功率。
圖5:實測數據,64QAM@76GHz,Pout=+17dBm RMS
功放小結
4、表貼的SMD產品
傳統的毫米波chip芯片性能好,但需要金絲鍵合Bonding、對工藝要求高、一致性不好,不利于大批量生產。對于5G移動通信、超短距離通信等大批量應用場合,Gotmic推出了SMD表貼產品,體積大約14x10x4.5mm,從而大大簡化了組裝工藝、降低了成本。
圖6:SMD產品結構圖
產品包括:
·SMD多功能Tx、Rx產品,V/E波段;·SMD功放PA產品,V/E波段;
·SMD多功能Tx+PA產品,即將多功能芯片和功放集成在一個SMD封裝內。
關于Gotmic
Gotmic總部在瑞典,作為業界知名的毫米波供應商,專注于40-170GHz的芯片設計,提供完整的V/E波段毫米波解決方案,既包括高集成度的多功能芯片,也提供分立的放大器、混頻器、倍頻等。
關于上海馥萊電子
上海馥萊電子是Gotmic中國區總代理,作為一家專業的射頻、微波毫米波產品供應商,致力于為客戶提供電子元器件及完整的技術服務。專業的技術團隊,行業資深的本土化團隊,能夠為客戶從方案設計、樣機生產調試、批量生產等各個階段提供持續完整的服務。
公司將于2017年4月11-13日參加IME2017北京分會(展位號:165),歡迎新老客戶蒞臨指導。