日前，中國電科13所石墨烯射頻領域取得里程碑式的成果，研制出國際首只石墨烯低噪聲放大器單片集成電路。

石墨烯是最典型的二維材料，由曼徹斯特大學的Geim教授和Novoselov教授發現，并因此獲得2010年諾貝爾物理學獎，引發全世界研究熱潮。石墨烯因其超高載流子遷移率、超高熱導率、超薄等優異特性，是制作高頻電子器件的理想候選材料。石墨烯晶體管最引人關注的應用方向之一是低噪聲放大器，石墨烯高的遷移率和高的飽和漂移速度可以使低噪聲放大器頻率更高，噪聲更低。

中國電科13所重點實驗室石墨烯團隊自2009年開展石墨烯材料和射頻器件研究。前期實現了國內首個3英寸和4英寸碳化硅外延石墨烯材料，材料室溫載流子遷移率達到4,300 cm2/V·s。針對二維石墨烯材料易受損傷和污染的特性，自主研發了預沉積保護層的低損傷、自對準工藝，2013年實現國際最高振蕩頻率石墨烯晶體管(Carbon, 75, 2014)，并已申請美國發明專利(PZT/CN2013078836)。2015年，石墨烯材料和器件工藝繼續提升，石墨烯場效應晶體管截止頻率fT達到407 GHz，為SiC襯底上外延石墨烯晶體管的國際最高水平(Appl. Phys. Lett. 108, 2016)。

近期，在石墨烯放大器單片電路設計和電路關鍵工藝上取得突破，成功研制出國際首只石墨烯低噪聲放大器單片集成電路，并發表于國際著名期刊IEEE Electron Dev. Lett., 37, 2016，在石墨烯射頻領域引起強烈震撼。該電路工作于Ku波段，中心頻率14.3 GHz，最大增益為3.4 dB，最小噪聲系數為6.2 dB。此項工作對加速推動石墨烯在射頻領域的應用具有里程碑式的意義。未來，中國電科將不斷提升石墨烯材料、器件及電路水平，使我國石墨烯電子器件發展處于國際領先地位。