英飛凌科技股份公司（Infineon）近日宣布推出碳化硅基（SiC）氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管。該產(chǎn)品協(xié)助移動(dòng)基站打造體積更小、功能更強(qiáng)大，且具彈性的發(fā)射器，支持蜂窩網(wǎng)絡(luò)。此外，由于具備更高的數(shù)據(jù)傳輸量，強(qiáng)化用戶經(jīng)驗(yàn)，為5G技術(shù)的轉(zhuǎn)型鋪路。

英飛凌射頻功率晶體管產(chǎn)品線副總裁兼總經(jīng)理Gerhard Wolf 表示，“新產(chǎn)品系列結(jié)合了創(chuàng)新與蜂窩基礎(chǔ)架構(gòu)需求的應(yīng)用知識，為全球客戶提供新一代的射頻功率晶體管。它們不僅大幅提高作業(yè)性能，并減小移動(dòng)基站發(fā)射器端的體積。此外，隨著轉(zhuǎn)換至寬能隙半導(dǎo)體技術(shù)，讓我們引領(lǐng)著蜂窩基礎(chǔ)架構(gòu)的持續(xù)演進(jìn)。”

新射頻功率晶體管運(yùn)用氮化鎵技術(shù)的性能，比現(xiàn)今常見的LDMOS晶體管效率提升百分之十，功率密度更達(dá)五倍。這意味著當(dāng)前所使用基站發(fā)射器(操作頻率范圍在1.8GHz～2.2GHz或2.3GHz～2.7GHz)的功率放大器在同樣的功率需求下只需更小的體積。未來碳化硅基氮化鎵產(chǎn)品也將支持頻率范圍高達(dá)6GHz的5G移動(dòng)頻段。