意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統（HVAC）電機驅動、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有的硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉換應用。

采用意法半導體的第三代溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結構，可以在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能。在150°C初始高結溫時，最小短路耐受時間為6μs，175°C最大工作結溫及寬安全工作范圍有助于延長元器件的使用壽命，同時提高對功率耗散有極高要求的應用可靠性。

此外，新產品的封裝還集成了新一代續流二極管（Free-wheeling Diode）。新二極管提供快速恢復功能，并同時保持低正向壓降和高恢復軟度。這項設計不僅可實現優異的EMI保護功能，同時可以有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度系數，結合緊密的參數分布，使新產品能夠安全并聯，并滿足更大功率的要求。

M系列產品的主要特性：

· 650V IGBT，大部分競爭產品為600V；
· 低VCE(sat) (1.55V  25°C) 電壓，能夠最大限度降低導通損耗；
· 出色的穩健性，擁有廣泛的安全工作范圍以及無閂鎖現象（latch-free operation）；
· 業內最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比；
· 175°C最大工作結溫；
· 高溫短路耐受時間最短6μs；
· 電壓過沖有限，確保關斷期間無振蕩；

最新發布的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長腳封裝，與意法半導體針對高頻工業應用研發的HB系列650V IGBT（高達60 kHz）相互補充。新產品已開始量產。