飛思卡爾推出突破性的超寬帶RF功率GaN晶體管,采用先進(jìn)塑封
這兩款新產(chǎn)品提供了前所未有的RF PA帶寬和熱性能,
非常適合新一代軍用和民用通信應(yīng)用
射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體[Freescale Semiconductor, Inc., NYSE:FSL]日前推出兩款采用全新先進(jìn)塑料封裝的超寬帶RF功率氮化鎵(GaN)晶體管。借助這些新型封裝和產(chǎn)品,飛思卡爾正在釋放GaN性能的真正潛力,并在提供業(yè)界最佳性能的GaN器件方面,已經(jīng)取得了重大突破。
飛思卡爾高級(jí)副總裁兼射頻業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Paul Hart表示:“借助這兩款業(yè)界領(lǐng)先帶寬的產(chǎn)品,我們的客戶采用一個(gè)射頻器件替換兩個(gè)甚至三個(gè)獨(dú)立的RF PA器件,大大降低了系統(tǒng)成本。 此外,這些器件具有超低的熱阻,可使客戶降低冷卻系統(tǒng)的成本,而且它們能夠以全連續(xù)波(CW)額定功率運(yùn)行,滿足更高溫度的應(yīng)用情況。”
OM-270新封裝提供雙引腳和八引腳配置,還可將飛思卡爾專用OMNI™RF塑封技術(shù)拓展至最小外形封裝中,并增加與GaN的兼容性。
飛思卡爾Fellow兼RF封裝開發(fā)部負(fù)責(zé)人Mali Mahalingam表示:“我們不斷創(chuàng)新,采用冶金方式將GaN-on-SiC芯片與銅法蘭相結(jié)合,然后將它們模壓塑形,實(shí)現(xiàn)前所未有的熱性能。此外,這種新封裝的平臺(tái)支持復(fù)雜的內(nèi)部匹配方案,實(shí)現(xiàn)卓越的寬帶性能。”
飛思卡爾以下兩個(gè)封裝的RF功率GaN晶體管充分利用這種先進(jìn)的封裝技術(shù),提高性能水平:
MMRF5015N:這是一款真正的CW超帶寬GaN晶體管,功率為100W,電壓為50V,非常適合高功率軍用和民用通信系統(tǒng)。MMRF5015N的熱阻不到0.8°C/W,這表明它比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的熱阻性能高30%以上。MMRF5015N樣品可以在評(píng)估套件中提供,展示前所未有的200-2500MHz帶寬,實(shí)現(xiàn)全頻段天線至少12db的增益和40%的效率提高。
MMRF5011N:這是一款真正的CW超帶寬晶體管,功率為10W,電壓為28V,在可用應(yīng)用電路中帶寬為200-2600MHz。MMRF5011非常適合更低功耗的軍用和民用手持無線電通信設(shè)備,現(xiàn)在已開始提供樣品。
飛思卡爾將在2015年國際微波會(huì)議(IMS)第3031號(hào)展位展示和演示這些晶體管。
這兩款新產(chǎn)品計(jì)劃2015年第三季度批量生產(chǎn),它們包含在飛思卡爾產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨計(jì)劃內(nèi),因?yàn)樗挟a(chǎn)品都屬于射頻軍用產(chǎn)品組合。
關(guān)于飛思卡爾半導(dǎo)體
飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE:FSL)為未來互聯(lián)網(wǎng)提供安全可靠的嵌入式處理解決方案。我們的解決方案幫助實(shí)現(xiàn)更多創(chuàng)新,讓世界緊密連接,生活更便捷和安全。飛思卡爾的客戶包括全球規(guī)模最大的公司,并且,我們致力于對(duì)科學(xué)、技術(shù)、工程和數(shù)學(xué)(STEM)方面教育的支持,推動(dòng)新生代的創(chuàng)新。
關(guān)于飛思卡爾技術(shù)論壇
飛思卡爾技術(shù)論壇(FTF)十年來基于業(yè)內(nèi)最全面的嵌入式生態(tài)合作體系,促進(jìn)創(chuàng)新與協(xié)作。飛思卡爾技術(shù)論壇提供客戶創(chuàng)建并實(shí)現(xiàn)安全的嵌入式解決方案所需的培訓(xùn)和專業(yè)知識(shí),幫助其滿足當(dāng)今和未來物聯(lián)網(wǎng)的需求。飛思卡爾技術(shù)論壇為期4天,涵蓋飛思卡爾及其生態(tài)合作體系伙伴提供的深入培訓(xùn)、實(shí)踐研討會(huì)及演示活動(dòng),并為業(yè)內(nèi)同仁及高瞻遠(yuǎn)矚者提供不可多得的合作機(jī)會(huì)。 該論壇已受到全球開發(fā)者社區(qū)的熱烈追捧,自2005年成立以來吸引了67500多名全球參與者。飛思卡爾美洲論壇將于2015年6月22日至25日在德克薩斯州奧斯汀隆重舉行。