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EPC公司的全新eGaN功率晶體管突破了硅器件成本速度壁壘

2015-05-04 來源:微波射頻網 字號:

全新eGaN®功率晶體管系列以MOSFET器件的價格實現(xiàn)更優(yōu)越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶體管,專為在價格方面競爭而設計并且在性能上超越硅器件。價格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化鎵(GaN)晶體管的普及化的最后一個壁壘,而價格已經下降。這些全新產品可以替代硅半導體及為業(yè)界續(xù)寫摩爾定律的輝煌。

EPC公司的全新eGaN功率晶體管突破了硅器件成本速度壁壘

我們用作比較的功率MOSFET器件具有可比的最高導通電阻額定值((RDS(on))及相同的最高擊穿電壓額定值((VDS(max))。此外,以下的數據表比較了顯示開關速度的數據,包括QOSS、QGD及QG,而較低的數值代表器件具備更優(yōu)越的性能。

此外,與等效MOSFET器件相比,EPC2035 及EPC2036器件的電容小很多。我們也比較了氮化鎵及MOSFET器件的面積-- EPC2035/EPC2036的面積大約是等效MOSFET的四十分之一。

功率系統(tǒng)工程師首次可以采用氮化鎵元件設計出具備更低的價格、更優(yōu)越的開關速度及更小的尺寸的最終產品。

開發(fā)板

為了簡化對這個全新eGaN FET產品系列進行評估,EPC推出開發(fā)板,使得工程師可以容易對EPC2035及EPC2036在“電路中”的性能進行評估。開發(fā)板的尺寸是2” x 1.5”,采用半橋拓撲并包含eGaN FET、板載柵極驅動器、電源及旁路電容。開發(fā)板包含所有重要元件并布局為可以實現(xiàn)最高的開關性能。

開發(fā)板型號 VIN VOUT IOUT 所采用的eGaN FET
EPC9049 40 60 4 A EPC2035
EPC9050 60 100 2.5 A EPC2036

產品價格及實時供貨詳情

EPC2035功率晶體管在批量為一千片時的單價為0.36美元、一萬片的單價為0.29美元。EPC2036晶體管在批量為一千片時的單價為0.38美元、一萬片的單價為0.31美元。EPC9049及EPC9050開發(fā)板的單價為104.4美元。所有產品皆可以立即透過北高智科技公司及Digi-Key公司購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普公司(epc-co.com.cn)是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN®)場效應晶體管 直流- 直流轉換器、 無線電源傳送、 包絡跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR) 及 D類音頻放大器 等應用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。

主題閱讀: EPC  氮化鎵
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