宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式晶體管，進(jìn)一步擴(kuò)展其獲獎(jiǎng)的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品系列。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強(qiáng)型單片式氮化鎵半橋器件。通過集成兩個(gè)eGaN®功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管而成為單個(gè)器件可以除去印刷電路板上器件之間的相連電感及空隙，使晶體管的占板面積減少50%。這會(huì)提高效率（尤其是器件在更高頻工作時(shí)）及增加功率密度并同時(shí)減低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。半橋式器件是面向高頻直流/直流轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想器件。

在典型降壓轉(zhuǎn)換器采用EPC2103器件，在48 V轉(zhuǎn)12 V、500 kHz頻率下開關(guān)及20 A輸出電流下可實(shí)現(xiàn)超過97%的系統(tǒng)效率。而EPC2102氮化鎵半橋器件（60 V）是半橋產(chǎn)品系列的最新成員，在42 V轉(zhuǎn)14 V、500kHz頻率下開關(guān)及18 A輸出電流下可實(shí)現(xiàn)98%的系統(tǒng)效率。

以上產(chǎn)品都使用芯片規(guī)模封裝，可以改善開關(guān)速度及散熱性能，其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。

開發(fā)板

EPC9038及EPC9039開發(fā)板的尺寸為2英寸乘2英寸(50.8 毫米x 50.8 毫米)，每塊開發(fā)板分別包含一個(gè)EPC2102或EPC2103集成半橋式器件。兩者皆采用德州儀器的柵極驅(qū)動(dòng)器（LM5113）并含板載電源及旁路電容。開發(fā)板的布局可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能并設(shè)有多個(gè)探孔使得用戶可易于測(cè)量簡(jiǎn)單的波形及計(jì)算效率。

產(chǎn)品價(jià)格及實(shí)時(shí)供貨詳情

EPC2102單片式半橋器件在批量為一千片時(shí)的單價(jià)為6.85美元。

EPC2103單片式半橋器件在批量為一千片時(shí)的單價(jià)為7.58美元。

EPC9038及EPC9039開發(fā)板的單價(jià)為137.75美元，可以立即通過北高智科技公司及Digi-Key公司購買。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡(jiǎn)介

宜普公司（epc-co.com.cn）是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無線電源傳送、 包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學(xué)遙感技術(shù)（LiDAR） 及 D類音頻放大器 等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。