美國高通公司（NASDAQ: QCOM）近日宣布，其全資子公司美國高通技術(shù)公司與中興通訊合作，推出全球首款集成CMOS功率放大器（PA）和天線開關(guān)的多模多頻段芯片，并首先應(yīng)用在中興通訊全新旗艦智能手機(jī)Grand S II LTE上。

美國高通技術(shù)公司QFE2320 和QFE2340芯片的成功商用標(biāo)志著移動射頻前端技術(shù)的一個重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān)，在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器（MMMB PA）和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMB PA，以及首款用于3G/4G LTE移動終端的包絡(luò)追蹤（ET）芯片QFE1100，都是Qualcomm RF360前端解決方案的關(guān)鍵組件，支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網(wǎng)絡(luò)的單一多模設(shè)計(jì)。QFE2320和QFE2340的組合能夠覆蓋所有主要的蜂窩模式，包括LTE TDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA 1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE，以及從700MHz到2700MHz的相關(guān)射頻頻段。QFE1100目前已經(jīng)在全球很多商用智能手機(jī)中采用，也將應(yīng)用于中興Grand S II LTE。

美國高通技術(shù)公司產(chǎn)品管理副總裁Alex Katouzian 表示："我們的集成功率放大器和天線開關(guān)以及高頻段功率放大器在中興Grand S II LTE手機(jī)上得到采用，是RF360前端解決方案實(shí)施過程中一個令人興奮的進(jìn)展。消費(fèi)者和OEM廠商都將從這些創(chuàng)新的射頻解決方案中受益，它們實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸和更高的能效，并支持全球漫游的LTE終端。"

中興通訊對外合作副總裁兼全球高端技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人王眾博士表示："美國高通技術(shù)公司的射頻芯片組具有卓越的性能和效率，讓我們能夠設(shè)計(jì)功耗更低且外形更時尚的終端，并能夠連接到全球最快的網(wǎng)絡(luò)上。我們很高興在Grand S II LTE上采用美國高通技術(shù)公司最新RF360前端解決方案中的兩款產(chǎn)品，以及高通驍龍800處理器和WTR1625收發(fā)器，實(shí)現(xiàn)同級最佳的LTE連接和卓越用戶體驗(yàn)。"

QFE2320和QFE2340采用CMOS制造工藝，能夠?qū)⒏鹘M件更緊密地集成在單一芯片上。在QFE2320中集成功率放大器和天線開關(guān)，能夠簡化走線，減少前端中的射頻組件數(shù)量，滿足更小的印刷電路板（PCB）面積要求--所有這些都支持OEM廠商能夠以更低的成本打造尺寸更小的終端設(shè)計(jì)，支持連接到全球主要2G、3G和4G LTE網(wǎng)絡(luò)所需的廣泛射頻頻段。QFE2340高頻段MMMB PA集成收發(fā)器模式開關(guān)，提供全球首款商用LTE晶片級納米規(guī)模封裝（WL NSP）MMMB PA，首次向移動行業(yè)引入創(chuàng)新的LTE TDD 射頻前端架構(gòu)。

QFE2320和QFE2340目前正向OEM廠商出貨，預(yù)計(jì)今年將在全球更多領(lǐng)先的智能手機(jī)上應(yīng)用。Qualcomm RF360解決方案中還包括首款用于3G/4G LTE終端的包絡(luò)追蹤芯片QFE1100和可配置天線匹配調(diào)諧芯片QFE1510，這兩款芯片已經(jīng)在2013年實(shí)現(xiàn)商用。