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EPC推出高性能氮化鎵功率晶體管 進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET

2014-07-21 來源:微波射頻網(wǎng) 字號:

氮化鎵(eGaN®)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣闊應(yīng)用。

EPC推出高性能氮化鎵功率晶體管 進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET

全新氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN®FET)及相關(guān)開發(fā)板

宜普產(chǎn)品型號 電壓 最高導(dǎo)通電阻
RDS(on) (m?)
(VGS = 5 V)
最小脈沖電流峰值
Peak PulsedID (A)
(25°C,Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半橋開發(fā)板
          標(biāo)準(zhǔn) 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150 EPC9032  
EPC2020 60 2 470 150 EPC9033  
EPC2021 80 2.5 420 150 EPC9034 EPC9019
EPC2022 100 3.2 360 150 EPC9035  
EPC2019 200 43 42 125 EPC9014  

· 更低導(dǎo)通電阻(RDS(on))

由于全新氮化鎵場效應(yīng)晶體管系列可降低一半導(dǎo)通電阻,因此可支持大電流、高功率密度應(yīng)用。

· 進一步改善品質(zhì)因數(shù)(FOM)

與前代器件相比,由于最新一代氮化鎵場效應(yīng)晶體管把硬開關(guān)FOM降低一半,因此在高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用可進一步提高開關(guān)性能。

· 擴展電壓范圍

由于可受惠于采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用擴展至30 V的應(yīng)用,因此可支持更多應(yīng)用包括更高功率的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點轉(zhuǎn)換器以及隔離型電源供電、電腦及伺服器內(nèi)的同步整流器。

· 更優(yōu)越的熱性能

由于全新第四代氮化鎵場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品系列在溫度方面具增強了的性能并配備更優(yōu)越的晶片版圖,因此改善了其熱性能及電學(xué)性能,使得氮化鎵器件在任何條件下可在更高功率工作。

展示結(jié)果表明氮化鎵器件可實現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率

為了展示這些全新氮化鎵場效應(yīng)晶體管的更高性能,我們構(gòu)置了兩個降壓轉(zhuǎn)換器。在一個12 V轉(zhuǎn)1.2 V 的直流-直流負(fù)載點轉(zhuǎn)換器,EPC9018開發(fā)板 采用了30V的EPC2023 場效應(yīng)晶體管(用作同步整流器)及40 V 的EPC2015(用作控制開關(guān))。

這個12 V轉(zhuǎn)1.2 V 、40 A的負(fù)載點轉(zhuǎn)換器工作在1 MHz的開關(guān)頻率下,與先進硅MOSFET模塊相比,采用最新一代氮化鎵功率晶體管的轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過91.5%的效率并展示了氮化鎵器件在電路中的優(yōu)越性能。

EPC9019開發(fā)板是一個48 V轉(zhuǎn)12 V 的轉(zhuǎn)換器并采用了80 V的 EPC2021 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (用作同步整流器開關(guān))及100 V 的EPC2001 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(用作控制開關(guān))。這個48 V轉(zhuǎn)12 V 、40 A非隔離型直流-直流中間總線轉(zhuǎn)換器工作在300 KHz的開關(guān)頻率,與采用先進硅MOSFET器件的等效轉(zhuǎn)換器相比,采用最新一代氮化鎵功率晶體管的轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。

開發(fā)板

為了簡化對全新高性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管進行評估,我們推出開發(fā)板以支持客戶在電路中對每一種全新產(chǎn)品易于進行評估(請參看以上列表)。這些開發(fā)板在單板上已包含所有重要元件并易于與任何目前的轉(zhuǎn)換器連接。

EPC9014 、EPC9031 至EPC9034的所有開發(fā)板都是半橋配置并帶板載柵極驅(qū)動器及采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管。 所有開發(fā)板的尺寸為2英寸x 1.5英寸,含兩個氮化鎵場效應(yīng)晶體管、使用德州儀器公司的柵極驅(qū)動器(LM5113)、電源及旁路電容。 每一塊板已配備所有重要元件及版圖,可實現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。

我們也提供EPC9018 及EPC9019開發(fā)板,使得工程師易于在電路中對氮化鎵場效應(yīng)晶體管的性能進行評估。

價格及供貨

產(chǎn)品

EPC2019至EPC2024的各個功率晶體管在一千批量時的單價為3.14美元,可立即通過Digi-Key公司訂購。

開發(fā)板

各塊相關(guān)的開關(guān)板的單價為104.4美元起,可立即通過Digi-Key公司訂購。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡介

宜普公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管,其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無線電源傳送、 包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學(xué)遙感技術(shù)(LiDAR) 及 D類音頻放大器 等應(yīng)用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。

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