IBM公司將為客戶提供經(jīng)改進(jìn)的射頻（RF）絕緣體上硅（SOI）和硅鍺（SiGe）工藝代工服務(wù)，以擴(kuò)大在RF芯片代工市場(chǎng)的占有率。

新的SOI工藝是130nm/180nm混合工藝，稱為7SW SOI，性能比前一代工藝（7RF SOI）提升30%，同時(shí)芯片尺寸縮小30%。IBM公司在過(guò)去三年中已生產(chǎn)了將近70億顆SOI芯片，主要應(yīng)用于手機(jī)和無(wú)線通信基站。

新的SiGe工藝是90nm工藝，稱為9HP，可使設(shè)計(jì)人員充分利用新出現(xiàn)的E波段（70～100GHz）帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)開發(fā)新的頻段來(lái)更好地管理海量數(shù)據(jù)。能支持高達(dá)360GHz的最高振蕩頻率(Fmax)和300GHz的截止頻率(Ft)。適用于汽車?yán)走_(dá)、光通信鏈路、蜂窩骨干網(wǎng)路芯片組、測(cè)試和儀表、軍事和航空航天等。