IDT針對下一代無線通信推出低功耗IQ調(diào)制器
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)近日宣布,針對目前的無線產(chǎn)品推出業(yè)內(nèi)功耗最低和線性最高的IQ 調(diào)制器。與同類產(chǎn)品相比,IDTF1650 可直接連接高性能雙模數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),降低功耗達(dá)50%,IM3 失真降低12dB。這款器件是要求超低功耗的高性能LTE 多輸入多輸出(MIMO)無線通信系統(tǒng)的理想選擇。
在典型的多模、多載波基站發(fā)射器中,調(diào)制器線性有限且功耗較高,在數(shù)字預(yù)失真環(huán)境下對系統(tǒng)的鄰道泄漏比(ACLR)和功耗預(yù)算帶來負(fù)面影響。IDTF1650 內(nèi)置Zero-Distortion技術(shù),消除了這些缺陷,使工程師們能夠在很低功耗[500 mW] 下獲得很高的OIP2 [60 dBm] 和OIP3 [35 dBm]。
IDT 副總裁兼時(shí)鐘和RF 部門總經(jīng)理Dave Shepard 表示:“IDTF1650 是我們不斷豐富的先進(jìn)RF 器件系列的新成員,將幫助我們的客戶開發(fā)領(lǐng)先市場的產(chǎn)品。我們的新低功耗IQ 調(diào)制器解決了工程師們目前面臨的最大挑戰(zhàn),使他們能夠?qū)崿F(xiàn)日益嚴(yán)格的功耗和性能預(yù)期。”
通過IDTF1650 運(yùn)行MIMO 可節(jié)約高達(dá)4 瓦功耗,帶來更好的頻譜性能,并改進(jìn)誤差向量幅度(EVM)。該器件可帶來超高線性度和3dB 功耗增益,同時(shí)只增加極少噪音,且能夠直接與主流的JESD204B 和DDR DACs 連接。
價(jià)格與供貨
IDTF1650 采用4x4 mm 24-ld VFQFPN 緊湊封裝。
關(guān)于IDT 公司
IDT 公司擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù),并且運(yùn)用這些模擬和數(shù)字優(yōu)勢技術(shù)提供系統(tǒng)級解決方案,優(yōu)化廣大客戶的應(yīng)用。憑借在計(jì)時(shí)、串行交換電路和接口方面的市場領(lǐng)導(dǎo)地位,并發(fā)揮模擬和系統(tǒng)專長,IDT 為通信、計(jì)算和消費(fèi)芯片市場提供全面的應(yīng)用優(yōu)化、混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞,在全球各地設(shè)有設(shè)計(jì)中心、生產(chǎn)基地、銷售機(jī)構(gòu)和分銷伙伴。IDT 股票在納斯達(dá)克全球精選股票市場上市,代號為“IDTI”。