三菱電機株式會社于5月15日開始提供高頻用混合SiC功率半導體樣品，該功率半導體的二極管部分采用SiliconCarbide（碳化硅）的材料。通過采用碳化硅（SiC）技術，對于使用電力逆變器如不間斷供電電源（UPS）、醫療器械專用電源、太陽能逆變器等電力電子裝置而言，將更有助于其實現高效化、小型化和輕量化。

近年來，從有效利用能源的觀點出發，使用碳化硅（SiC）的功率半導體可以大幅降低功率損耗并可實現功率器件高速開關，因而用戶對它的期盼日益迫切。此前，針對不間斷供電電源裝置（UPS）、醫療器械專用電源等需要進行高頻開關操作的電力電子裝置，三菱電機已經提供了開關特性最優化的功率半導體模塊“NFH系列”。

現在，通過進一步的研制開發，三菱電機開始提供高頻用混合型碳化硅（SiC）模塊的樣品，該模塊作為“NFH系列”的新陣容，通過采用SiC-SBD，可以大幅降低功率損耗。

高頻用混合SiC功率半導體模塊使用“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”開發技術的一部分。

CMH100DY-24NFH CMH150DY-24NFH

CMH 200DU-24NFH CMH300DU-24NFH

CMH 400DU-24NFH CMH 600DU-24NFH

高頻用混合SiC功率半導體模塊

新產品的特點

1．損耗減少約40%，有助于實現裝置的高效化、小型化和輕量化

?采用SchottkyBarrierDiode（肖特基勢壘二極管）用于二極管、高頻開關Si-IGBT用于晶體管的混合型結構。
?SiC-SBD由于不會產生反向恢復電流，可使開關的損耗大幅降低，損耗降低約40%，因而有助于實現裝置的高效化。
?由于損耗大幅減少，將有利于散熱裝置的進一步小型化、輕量化，而功率器件的高頻化則有助于實現電抗器等配件的小型化和輕量化。

2．內部寄生電感降低，可有效抑制浪涌電壓

?采用適用高速開關的低電感封裝。
?100A、150A產品與以往采用硅(Si) 的高頻用IGBT模塊“NFH系列”產品相比，內部寄生電感約降低30%。

3．與以往產品封裝保持一致，方便用戶替換

?確保了與以往產品※4的封裝一致性，因而可以直接替換。

新產品的概要

產品名	型號	概要	樣品出廠日期
高頻用混合SiC 功率半導體模塊	CMH100DY-24NFH	1200V/100A2in1	5月15日
	CMH150DY-24NFH	1200V/150A2in1
	CMH200DU-24NFH	1200V/200A2in1
	CMH300DU-24NFH	1200V/300A2in1
	CMH400DU-24NFH	1200V/400A2in1
	CMH600DU-24NFH	1200V/600A2in1