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三星電子為其28納米工藝技術新增射頻功能 加速物聯網普及

2014-04-01 來源:微波射頻網 字號:

尖端半導體解決方案的全球領先企業三星電子日前宣布,為其28納米工藝技術新增射頻(RF)功能。隨著物聯網快速成為現實,三星晶圓代工事業部開始助力芯片設計人員在設計中集成高級RF功能,使互聯家用電器、車載信息娛樂系統和供暖/制冷系統等連接應用成為可能。

“現在市場上只有少數晶圓代工廠能夠提供先進制程工藝,而能在芯片設計中集成RF功能的選擇則更為有限。“三星晶圓代工事業部市場營銷副總裁韓承勛指出,”隨著我們進入物聯網時代,智能連接設備也將更加普及,更小和節能型的RF設計對SoC解決方案來說至關重要。為了順應這一潮流,三星晶圓代工事業部正同其生態系統合作伙伴和客戶協力,一道推出最先進的低成本和最低功耗的RF技術。”

三星晶圓代工事業部現已向一些客戶提供了28RF工藝設計包(PDK)和驗證方法,并已通過實際設計仿真驗證和硅驗證。三星的28RF工藝基于已通過大批量量產驗證的28LPPHKMG工藝,且芯片結果顯示了280GHz的增益截止頻率(Ft)和400GHz的功率截止頻率(Fmax)。

在與EDA伙伴的合作中,28RF工藝設計包含設計手冊、精準SPICE模型、DRC/LVS、PEX和ESDdecks以及RF專用模塊驗證和提取規則等。在2015年初,三星就將開始啟動28RF工藝的量產。

目前,三星正在為其代工業務客戶量產使用28LPS(pSiON)、28LPP(HKMG)和28LPH(HKMG)等制程工藝的28納米產品。多個客戶的產品已經通過硅驗證,更多產品也在三星分別位于韓國和美國的S1和S2晶圓廠中進行生產。

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