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超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發布BLF188XR

2013-08-13 來源:微波射頻網 字號:

廣受歡迎的XR系列射頻功率晶體管的最新成員,適合最惡劣的工程環境

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR– 其XR系列“超耐用”LDMOS 射頻功率晶體管的最新成員。BLF188XR專為最嚴酷的工程環境而設計,真實條件下耐用性更強,能夠在5dB壓縮點承受超過65:1駐波比的嚴重負載失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值輸出功率,其工作電壓可高達60 V,并且仍能通過極為嚴格的耐用性測試。其他主要特性包括:更強大的集成ESD保護,能使BLF188XR用于C類操作模式;幾種增強型功能,能使XR系列器件在多種應用中易于設計和調試。

BLF188XR另一項令人關注的特性是其卓越的線性度,該特性使BLF188XR成為高功率線性應用的極佳選擇。BLF188XR非常適合頻率范圍小于300 MHz的大規模工業、科學和醫療(ISM)應用,而廣受歡迎的BLF578XR系列的建議使用頻率范圍為500 MHz以內。恩智浦本周在2013年IEEE MTT-S國際微波研討會(IMS 2013)上展示BLF188XR。

恩智浦半導體射頻功率事業部市場總監Mark Murphy表示:“我們的‘超耐用’系列目前具有更強的耐用性,完全滿足最苛刻的射頻負載要求,并且采用恩智浦最新的高電壓LDMOS技術,輕松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之處,擴展了我們的產品組合,并帶來額外的耐用性、線性度、功率和簡化設計。憑借作為ISM市場領先的射頻功率產品供應商所創下的驕人業績,我們已將BLF188XR設計為極具吸引力的解決方案,在激光器、MRI、射頻照明和射頻干燥以及VHF/FM廣播發射機等各種低頻應用。”

上市時間

合格客戶現在可索取BLF188XR工程樣品。

關于恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 致力于為智能世界提供安全互聯的解決方案。基于高性能混合信號的專業性,恩智浦在汽車、智能識別和移動行業,以及無線基礎設施、照明、醫療、工業、個人消費電子和計算等應用領域不斷創新。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構,2012年公司營業額達到43.6億美元。

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